第2章 缺陷物理与性能1资料.ppt

点缺陷能加速与扩散有关的相变 空位换位——运动空位复合——消失 高温时点缺陷平衡浓度增加 点缺陷可以引起晶体光学性能的变化 无色透明晶体 点缺陷可以引起比热容的反常 含有点缺陷的晶体，其内能比理想晶体的内能大，这种由缺陷引起的在定容比热容基础上增加的附加比热容称为比热容的“反常”。 例：金属电阻随淬火温度的变化 文献：杨正，夏上达，谢宏祖. 不同热处理后锰铋合金的电阻—温度曲线, 《兰州大学学报(自然科学版)》，1964年. 对金属强度的影响 影响晶体力学性能的主要缺陷是非平衡点缺陷 在常温，晶体中热力学平衡的点缺陷的浓度很小，因此点缺陷具有平衡浓度时对晶体的力学性能没有明显影响。但过饱和点缺陷（超过平衡浓度的点缺陷）可以提高金属的屈服强度。 获得过饱和点缺陷的方法： ① 淬火法 ② 辐照法 ③ 塑性变形 淬火引起的点缺陷变化 将晶体加热到高温，晶体中便形成较多的空位，然后从高温快速冷却到低温（称淬火）使空位在冷却过程中来不及消失，在低温形成过饱和空位。 辐照引起的点缺陷变化 线缺陷 线缺陷是发生在晶格中一条线周围，其特征是在两个方向上的尺寸很小，而另一个方向上的尺寸很大，晶体中的线缺陷主要是各种类型的位错，是晶体中某处的一列或几列原子发生错排产生的线形点阵畸变区。位错还影响着晶体的力、电、光学等性质，对相变和扩散等过程也有重大的影响。 位错的运动 位错的滑移：指位错在外力作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。 位错的攀移：指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。 位错——刃位错 刃位错的运动方式——滑移 刃型位错的滑移 （a）正刃型位错 （b）负刃型位错 滑移过程中，原子的滑移方向、位错线的运动方向和外加应力方向三者是平行的 螺位错的运动方式——滑移 螺型位错的运动 滑移过程中，原子滑移方向与外加应力方向相同，而与位错线运动方向垂直 刃位错攀移示意图 位错与物理性能 位错与物理性能——位错的滑移与晶体的范性形变 晶体受到的应力超过弹性限度后，将产生永久形变，即范性形变。 范性形变——原子面的滑移 比如在立方晶格中具有最重要意义的三种晶面为（100）、（110）、（111）；具有最重要意义的三种晶向为[100]、[110]、[111] 范性形变可以通过位错的运动来实现 位错与物理性能——位错对金属强度的影响 材料在塑性变形时，位错密度大大增加，从而使材料出现加工硬化。当外加应力超过屈服强度时，位错开始滑移。如果位错在滑移面上遇上障碍物，就会被障碍物钉住而难以继续滑移。 热弹性高分子材料在塑性变形时的硬化现象，其原因不是加工硬化，而是长链分子发生了重新排列甚至晶化。 位错与物理性能——位错对材料的电学、光学性质的影响 因为位错的周围有应力场，从而杂质原子会聚集到位错的近邻，使晶体的性质发生改变位错对杂质原子有聚集作用。 在半导体材料中，由于杂质向位错周围的聚集，就可能形成复杂的电荷中心，从而影响半导体的电学、光学以及其它性质。 位错与物理性能——位错对扩散过程的影响 由于位错和杂质原子的相互作用，位错的存在影响着杂质在晶格中的扩散过程。 ——位错与晶体生长 晶体生长的前提——晶核 螺型位错台阶具有凝聚核的作用——产生晶核 位错与物理性能——位错与固体内耗 内耗的定义：振动着的固体,即使与外界完全隔离,其机械振动也会逐渐衰减下来,这种使机械能量耗散变为热能的现象,叫做内耗。 即固体在振动过程中由于内部的原因而引起的能量消耗,在英文文献中通用“internal friction”表示. 内耗是一个对结构高度灵敏的量,对内耗的研究不但可以推知固体中的结构和结构缺陷的情况,也可以得到固体结构变化及原子扩散的知识. 位错与物理性能——位错与固体内耗 要点： 位错内耗强烈地依赖于冷加工的程度；若内耗对冷加工敏感，就可以肯定这种内耗与位错有关。 面缺陷 面缺陷是发生在晶格二维平面上的缺陷，其特征是在一个方向上的尺寸很小，而另两个方向上的尺寸很大，也可称二维缺陷。 晶体的面缺陷包括两类：晶体的外表面和晶体中的内界面，其中内界面又包括了晶界、亚晶界、孪晶界，相界、堆垛层错等。这些界面通常只有几个原子层厚，而界面面积远远大于其厚度，因此称为面缺陷。面缺陷对材料的力学、物理、化学性能都有影响。 表面 界面：晶界、相界 面缺陷 面缺陷——晶界 面缺陷——小角晶界 面缺陷——大角晶界 当相邻晶粒的位相差大于10°-15°时，晶粒间的界面称为大角晶界。一般的大角晶界约为几个原子间距的薄层，层中的原子排列较疏松杂乱，结构比较复杂。但是并非所有大角晶界都具有松散紊乱的原子组态。当相邻两个