第六讲微传感器资料.ppt

思考题 与传统传感器相比，微传感器具有哪些优势？ 微传感器制造中应用的主要微加工技术有哪些？ 简述用牺牲层技术加工微悬臂梁的工艺过程。 简述电容式微加速度传感器的工作原理。 * 智能手机中采用MEMS技术加工的传感器、执行器和光学器件主要如下 : 加速度计、陀螺仪、电子罗盘：惯性测量单元（IMU）实现室内导航。 加速度计还可以实现自由落体检测、倾斜控制、计步器、手势检测、单击/双击检测、画面翻转等功能。 陀螺仪还可以实现图像防抖、增强现实等功能。 压力传感器：提供多层建筑及商场的精确高度数据，推进LBS服务。 硅微麦克风：相比传统的电容式麦克风，硅微麦克风可以采用表贴工艺进行制造，能够承受很高的回流焊温度，容易与CMOS工艺及其它音频电路相集成，并具有改进的噪声消除性能与良好的RF及EMI抑制性能。 MEMS微镜：微投影仪。 CMOS图像传感器、自动对焦执行器：照相机/摄像机。 环境光感测器：应用优势是帮助手机节省显示屏功耗，增加电池的工作时间。最新的光感测器包括了更多功能，如光谱响应与动态范围、集成接近探测，以及数字通信等。 接近传感器、微型显示器：具有触摸灵敏度的显示屏。 MEMS振荡器、RF开关：蜂窝无线模块。 * 电容变化通过电路及放大后，由脉宽调制器产生两路反向信号，分别加在固定电极上，通过产生静电力去改变活动极板的位置，以实现活动极板保持在两个固定电极中间位置，因此脉宽变化与加速度大小成正比，所以通过低通滤波器的脉宽信号UE的大小就与加速度成正比。 典型微传感器之微压力传感器 （d）保护好正面，刻蚀背面，得到特定厚度的应变膜。 （e）将制作好的芯片与硼硅玻璃在高真空下采用阳极键合技术键合在一起，形成空腔。 最后划片，将晶圆分割成独立的芯片。 将圆形硅膜片上各点的应力分解成径向应力σr与切向应力σt，其计算公式分别为 应力分布如图。 式中 典型微传感器之微压力传感器 晶向001的硅膜片传感器元件如图。分别沿相互垂直的 和110二晶向，利用扩硼的方法扩散出四个P型电阻，构成电桥的两对桥臂电阻，位于圆膜片的边缘处，则 晶向的两个径向电阻与110晶向的两个切向电阻值的变化率分别为 在 晶向， 典型微传感器之微压力传感器 在110晶向, 则 可见，电阻变化率大小相等，符号相反。如图。 典型微传感器之微压力传感器 晶向 硅膜片传感元件如图。沿110晶向，在0.635a半径之内与之外扩散两个电阻，110晶向的压阻系数为 则内外电阻变化率大小相同，但符号相反，内正外负。电阻率大小为 典型微传感器之微压力传感器 压阻式压力传感器在设计中为使输出线性度较好，扩散电阻所受应变不应过大，应使硅膜片上最大应变不超过400~500微应变。圆形膜片上各点的应变考虑横向效应时可用下式计算 单晶硅的弹性模量E与晶向有关。 典型微传感器之微压力传感器 如图。可见，膜片边缘处径向应变最大。所以设计中膜片边缘径向应变不应超过400~500微应变。由此可得圆膜片半径与厚度之比的最大值为 典型微传感器之微压力传感器 通常选定a=1.8~10mm，h=50~100μm。 利用集成电路工艺制造的压阻式压力传感器突出的优点是尺寸小，固有频率很高，因而可用于测量频率很高的气体或液体的脉动压力。 固有频率计算式为： 式中，E为弹性模量；ρ为硅片密度（kg/m3）。 由于硅的弹性模量与钢几乎相等，但硅的密度仅为钢的1/4~1/3，所以硅膜片的固有频率比钢高近2倍。 由BDRIVE端给传感器BP提供0.5?mA(额定值)的激励电流，传感器输出信号送至INP、INM端。调节R2可使激励电流达到额定值。通过开关S1、S2、S3闭合(高电平1)或断开(低电平0)设置A0、A1、A2状态组成不同数码以改变MAX1450内部可编程放大器增益。 近几年出现的单片集成硅压力传感器是集压力传感单元、信号调理、温度补偿和压力修正电路为一体的高性价比压力传感器，具有精度高、响应速度快、体积小、微功耗、外围电路简单等特点。这类传感器的典型代表是美国Motorola公司生产的MPX系列单片集成硅压力传感器。MPX系列压力传感器的输出电压与被测绝对压力成正比，适配带A/D转换器的微控制器构成压力检测系统。如图所示是MPX系列集成压力传感器的封装外形。 MPX5100内部电路原理图 典型应用电路。图中C1、C2为电源退耦电容，C3为输出端消噪电容。 电容式微压力传感器 优点：功耗低、灵敏度高、温度特性好、漂移小。 典型微传感器之微压力传感器 变极距式电容压力传感器受压变形时膜位移量不一致，存在非线性误差，这在检测高压时尤其严重。 图(b)所示接触式压力微传感器的特点是工作在膜与衬底“接触”的