半导体制造技术导论chapter_8离子注入工艺分析.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 离子注入：负产品的腐蚀性 BF3 做为掺杂气体 氟和氢反应生成HF 任何物品在束线都可以夹带HF 当以湿式清洗这些零件时，必须佩带双重手套 * 离子注入：机械安全 移动的零件、门、阀和机械手臂 旋转轮或圆盘 热表面 …… * 技术的趋势 超浅型接面 (USJ) 硅覆盖绝缘层结构(SOI) 电浆浸泡离子注入(PIII) * 超浅型接面(USJ) USJ (xj ? 0.05mm)针对 次微米(0.1mm)组件 P型接面,用能量极低的硼离子束才能达成，要低到0.2 keV USJ的要求 浅度 低的薄片电阻 低的接触电阻 通道分布轮廓最小冲击 和多晶硅匣极的兼容性 * 软误差 每一个a-衰变都会在硅基片产生超过一百万个电子—电动对 内存电容器会被来自芯片的电子覆写 储存电容器需要大的电容量 组件尺寸越小，限制的条件也越多 硅覆盖绝缘层结构 (SOI) 将组件与主体硅基片完全隔绝 * a-粒子造成的电子—电洞对 + - - + + - - + + - - + 电子—电洞对 a - 粒子 硅基片 + - - + * SOI基片上的CMOS组件 P型硅 USG N型硅 巨体硅Si 多晶硅 STI 深埋氧化层 n+ 源极 / 漏极 p+源极 / 漏极 匣极氧化层 * 形成硅覆盖绝缘层结构 晶圆注入 注入富含氧离子的硅膜层 高温退火 晶圆接合(Bonded wafers) 两片晶圆 在一片晶圆上形成氧化层 高温使促使晶圆的接合 对一片晶圆研磨直到距二氧化硅层数千? * 带有晶格损伤的硅 富氧硅 巨体硅 氧离子注入 * 高温退火 单晶硅 二氧化硅 巨体硅 * 电浆浸置型离子注入 DRAM具有深沟槽电容器 沟槽变的更深也更窄 标准离子注入制程很难在深沟槽的两侧与底部进行重度掺杂 电浆浸置型离子注入(PIII) 没有离子种类与离子能量选择的离子注入制程 * 介电质层 重度掺杂硅 硅基片 深沟槽式电容器 多晶硅 * 电子回旋共振电浆浸置型离子注入系统 氦 射频偏压 磁力线 微波 磁铁线圈 电子回旋共振电浆 晶圆 静电吸附承座 * 离子注入概要 掺杂半导体 比扩散好的掺杂方法 容易控制接面深度 (藉离子能量控制)和 掺杂物浓度 (藉离子束电流和注入时间. 非等向性注入轮廓. * 离子注入概要 离子源 萃取 质谱仪 后段加速 电荷中性化系统 射束阻挡器 * 离子注入概要 井区 高能量,低剂量 源极 / 漏极 低能量, 高剂量 临界电压调整 低能量, 低剂量 低掺杂漏极 低能量, 低剂量 * * * * * * * * * * * * * * * * * 旋转轮式晶圆处理系统 旋转速率:最高到2400 rpm 摇摆周期: ~10sec 离子束 注入带区 晶圆 旋转臂 * 旋转盘式晶圆处理系统 离子束 晶圆 * 单晶圆扫描系统 离子束 扫描电极 扫描离子束 晶圆移动 * 离子注入：射束阻挡器 吸收离子束的能量 离子束检测器 射束电流、射束能量和射束形状量测 水冷式的金属平板用来带走所产生的热量，并阻挡x光辐射 * 离子注入：终端分析仪 法拉第电荷检测器 用来校正射束电流、能量和形状 * 离子阻挡器示意图 离子束 磁铁 晶圆冷却平板 石墨 俯视图 法拉第电流侦测器 * 离子注入制程 CMOS应用 CMOS离子注入的要求 注入制程评估 * CMOS离子注入规范 注入步骤 0.35mm, 64 Mb 0.25mm, 256 Mb 0.18mm, 1 Gb N型井区 ? 井区 P/600/2?1013 P/400/2?1013 P/300/1?1013 抗接面击穿 P/100/5?1013 As/100/5?1012 As/50/2?1012 临界电压 B/10/7?1012 B/5/3?1012 B/2/4?1012 多晶硅注入 P/30/2?1015 B/20/2?1015 B/20/3?1015 多晶硅扩散阻隔 - - N2/20/3?1015 低掺杂漏极(LDD) B/7/5?1013 B/5/1?1014 B/2/8?1013 Halo (45? 注入) - - As/30/5?1013 源极/漏极 接触 B/10/2?1015 B/7