初始晶硅多层薄膜光电响应及载流子输运特性.pdfVIP

2013 年 第 58 卷 第 4 期：385 ~ 391 《中国科学》杂志社 论 文 SCIENCE CHINA PRESS 初始晶硅多层薄膜光电响应及载流子输运特性 * 于威, 朱海荣, 赵一, 孙宇凯, 卢海江, 傅广生 河北大学物理科学与技术学院, 保定 071002 * 联系人, E-mail: yuwei@ 2011-09-26 收稿, 2012-02-17 接受 国家自然科学基金资助 摘要 采用等离子体化学气相沉积技术, 通过交替改变H2 流量, 制备了多层结构的氢化初始晶 关键词 硅薄膜, 利用拉曼(Raman)散射、傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱和光电流谱等技术研究了薄膜 初始晶硅 的微观结构和光电响应特性. 微观结构分析揭示, 薄膜呈现为由纳米晶硅和非晶硅两相组成的 光电响应 初始晶硅结构, 薄膜光学带隙随晶化度提高逐渐降低. 光电流谱的结果显示, 纳米硅晶粒对薄 载流子传输 晶化度 膜内部光生载流子的空间分离可有效降低其非辐射复合几率, 导致薄膜光电响应峰值随晶化度 的提高向短波方向移动, 然而纳米硅晶粒界面缺陷对载流子的空间限制使薄膜长波谱段的光电 响应显著降低. 外加偏压下, 观察到 350~1000 nm 范围的光电响应, 表明外加偏压可促进光生 载流子的有效收集. 分析表明, 纳米硅晶粒内部电子- 空穴对的空间分离及界面载流子激发的共 同作用, 导致薄膜光电响应及外量子效率大幅增加和峰位的红移. 实验结果为初始晶硅高效太 阳电池的载流子输运控制提供了基础数据. 非晶硅太阳电池因其成本低、重量轻、转换效 近年来该材料研究的重要方向, 结果显示, pc-Si:H 率较高和低温沉积[1]等优势, 已经成为产业化硅基 薄膜作为非晶硅到微晶硅过渡形式, 其微观结构由 薄膜太阳电池的主要结构之一. 然而, 受材料本征 镶嵌有少量纳米晶硅晶粒的氢化非晶硅组成. 在一 光致衰减特征的限制, 光电转换的不稳定性使该结 定条件下, 氢稀释比的增加可促使非晶硅中纳米硅 构电池的实际应用受到极大影响[2]. 处于非晶与微晶 晶粒的形成, 诱导薄膜结构从无序到有序的转变[7]. 过渡区的初始晶硅(pc-Si:H)具有低衰退和快速稳定 由于纳米硅晶粒与非晶硅带隙及带结构不同, 二者 等特点[3], 近年来在太阳电池中的潜在应用已备受 之间有几个原子层厚的晶界存在[8], 在纳米晶相与非 关注. 研究发现[4,5], 由于pc-Si:H 内部存在纳米硅晶 晶相之间将形成晶界势垒. 作为由纳米晶相、晶粒边 粒, 光照下所对应的载流子空间分离效应可有效抑 界及非晶相组成的复合材料, pc-Si:H 薄膜的载流子 制薄膜中的缺陷产生, 电池转换效率可迅速趋于稳 传输机制较复杂. 纳米硅晶粒相对缺陷较高的载流 定, 并在长时间光照下不发生衰退. 同时, 由于纳米 子捕获截面导致非晶成分中非辐射复合几率的减 硅晶粒可使 pc-Si:H 光学带隙相对非晶硅显著增 小[1], 这将有利于光电响应的提高, 且有助于材料光 加[4,6], 采用pc-Si:H 作为叠层电池的顶层材料可扩展 致衰退的抑制. 但是, 纳米硅晶粒的边界区域及相应 太阳光谱的利用范围. 因此, pc-Si:H 薄膜的结构控 缺陷浓度将随薄膜晶化度的提高显著增加[9],