第三章 陶瓷基复合材料制造工艺课件.ppt

3.2 新型工艺介绍 3.2.2 直接氧化法 锆熔体与B4C直接反应制取 3.2 新型工艺介绍 3.2.2 直接氧化法 3.2 新型工艺介绍 3.2.2 直接氧化法 此种工艺中控制反应动力学是非常重要的。因为化学反应的速率决定了陶瓷生长的速度，一般陶瓷生长速率为 1 mm/hr。 所生产的部件尺寸可达 20 cm. 3.2 新型工艺介绍 3.2.2 直接氧化法 3.2 新型工艺介绍 3.2.2 直接氧化法 3.2 新型工艺介绍 3.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) 简单地说CVI工艺需要： 进气系统； 一个化学气相沉积反应器，其中能够加热基底与导 入反应 气体； 尾气处理系统。 3.2 新型工艺介绍 3.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) 3.2 新型工艺介绍 3.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) 实际上这是一种与制备陶瓷材料相似的化学气相沉积方法。 在1200 - 1400 K的温度下： CH3Cl3Si(g) SiC(s) + 3HCl(g) 有的时候还可以用原料气，如氧化铝基体复合材料的制备，在 950 - 1000 ℃和 2-3 kPa 的压力下: H2(g) + CO2(g) H2O(g) + CO (g) 2AlCl3(g) + H2O (g) Al2O3(s) + 6 HCl(g) 2AlCl3(g) + 3H2(g) + 3CO2(g) Al2O3(s) + 3CO(g) + 6HCl(g) 3.2 新型工艺介绍 3.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) 3.2 新型工艺介绍 3.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) CVI 工艺的优点： 制备的复合材料在高温下仍有好的机械性能； 可以制备大尺寸、复杂形状和近净形的部件； 适用于很多种类的陶瓷基体与增强纤维。 缺点： 速度慢、成本高 3.2 新型工艺介绍 3.2.3 化学气相浸渍法 (Chemical Vapor Impregnation, CVI) 3.2 新型工艺介绍 3.2.4 溶胶 - 凝胶法 (Sol - Gel) 工艺步骤： 制备陶瓷基体组元溶胶； 加入增强相（颗粒、晶须、纤维等）并使其均匀分布于溶 胶中； 得到稳定均匀分布有增强相的陶瓷基体组元凝胶； 干燥，压制，烧结后即可形成复合材料。 3.2 新型工艺介绍 3.2.4 溶胶 - 凝胶法 (Sol - Gel) 连续纤维增强陶瓷基复合材料示意图。 3.2 新型工艺介绍 3.2.4 溶胶 - 凝胶法 (Sol - Gel) 真空浸渍增强 陶瓷基复合材料示 意图。 3.2 新型工艺介绍 3.2.4 溶胶 - 凝胶法 (Sol - Gel) 优点： 陶瓷基体成分容易控制； 加工温度较低； 得到的复合材料的均匀性好。 缺点： 较大的收缩率； 生产效率低。 3.2 新型工艺介绍 3.2.5 金属间化合物基体复合材料的制备 基本概念 金属间化合物是以金属元素或类金属元素为主要组成的二元系或多元系中出现的中间相。 第一类为常见的有序合金，如CuAu和 Cu3Au即是典型的金属间化合物，主要仍为金属键。 第二类在其化学式规定成分两侧有个成分范围，但是熔点以前或是相图上的反应分解以前其原子有序排列都有是稳定的，Ni2Al3 和Ni3Al 在其包晶反应分解之前都是结构稳定的化合物。 第三类金属间化合物的化学式规定成分两侧不再有成分范围。 后两类金属间化合物中多为离子键或共价健。 3.2 新型工艺介绍 3.2.5 金属间化合物 基体复合材料 的制备 3.2 新型工艺介绍 3.2.5 金属间化合物基体复合材料的制备 3.3 工艺总结 第三章 陶瓷基复合材料制造工艺 陶瓷材料的特点决定了工艺的设计与选择 第三章 陶瓷基复合材料制造工艺 1、熔点 5、热膨胀系数 2、挥发性 6、蠕变特性 3、密度 7、强度 4、弹性模量 8、断裂韧性 9、基体与增强相之间的相容性 化学稳定性 热相容性 与环境的相容