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本章的重点：1、原子键合机制2、三种常见的晶体结构及其基本性能。3、实际金属的晶体缺陷及其对性能的影响。4、结晶条件、结晶过程及细化晶粒的基本方法。难点：结晶机理。晶面指数与晶向指数的确定。 三、共价键(covalent bond ) 最有代表性的共价晶体为金刚石。金刚石由碳原子 构成，每个碳原子贡献出4个价电子与它周围的4个碳 原子共用最外层的电子，使每个碳原子最外层获得满 层8个电子。形成4个共价键，构成四面体。 § 1-3 不同键结合的特性 工程材料中虽然有不同的键合机制，但却存在 着主次之分。如金属材料，以金属键为主，氧化 物陶瓷以离子键为主，高分子材料以共价键为主。 不同键结合的强弱是用结合键能来表达的。键 能从高到低依此为：离子键—共价键—金属键— 分子键。键能越高，材料的熔点及硬度越高。 ⑵ 晶胞：晶体中有代表性的最小的几何单元，称为晶胞。 体心立方晶格 体心立方晶格 ②面心立方晶格face-centered cubic lattice(fcc) 面心立方晶格 面心立方晶格 ③ 密排六方晶格 密排六方晶格 密排六方晶格 (1)基本概念 晶面：晶体中不同方位的原子面（通过原子中心的平面）称为晶面。 晶向：晶体中不同方向的原子列（通过原子中心的方向）称为晶向。 (2)立方晶系的晶面表示方法 选定不在预定晶面上的晶格中任一结点为坐标原点，以与该点连接的三条棱边为坐标轴，即OX, OY, OZ； 以晶格常数a作为坐标轴上的度量单位，求出欲定晶面在3个坐标轴上的截距(截距负值时，在指数上方加“－”)； 求3个截距的倒数，化为最小整数； 将3个整数加圆括号，整数间不加标点，如(hki)。 错误写法：(0,1,0) (0 -1 0)。 随堂练习 六、实际金属的晶体结构 ① 点缺陷 空间三维尺寸都很小的缺陷。 a. 空位：晶格中某些缺排原子的空结点。 b. 间隙原子：挤进晶格间隙中的原子。可以是基体金属原子，也可以是外来原子。 c. 置换原子：取代原来原子位置的外来原子称置换原子。 点缺陷破坏了原子的平衡状态，引起周围晶格产生畸变，阻碍原子的移动，必需施加更大的外力，从而使强度、硬度提高，塑性、韧性下降。 ② 线缺陷—（在一维方向上尺寸较大的缺陷) 晶体中最普通的线缺陷是位错，它是在晶体中某处有一列或若干列原子发生了有规律的错排现象。 ②螺型位错：晶体右边的上部的点相对于下部的点向后错动一个原子间距，即右边上部相对于下部晶面发生错动。将错动区的原子用线连接起来，具有螺旋型特征。 位错对性能的影响：不论刃型位错还是螺型位错，以位错线为中心的管道区周围晶格都发生了畸变，从而阻碍位错的运动，使材料的强度提高。由于线缺陷的影响面比点缺陷大的多，因此对材料性能的影响也大的多。 位错密度：单位体积位错线总长度。 ? = S/V(cm/cm3或1/cm2) 金属的位错密度为104~1012/cm2 减少或增加位错密度都可以提高金属的强度。 面缺陷包括晶界和亚晶界。 晶界是晶粒与晶粒之间的界面，由于晶界原子需要同时适应相邻两个晶粒的位向，就必须从一种晶粒位向逐步过渡到另一种晶粒位向，成为不同晶粒之间的过渡层，因而晶界上的原子多处于无规则状态或两种晶粒位向的折衷位置上。 晶粒内部也不是理想晶体，而是由位向差很小的称为嵌镶块的小块所组成，称为亚晶粒。 亚晶粒尺寸比晶粒小2~3个数量级，通常为10-8 ~ 10-6m。 亚晶粒的边界称为亚晶界。 a 4 2 r = ： 原子半径 原子个数：4 配位数： 12 致密度：0.74 常见金属： ?-Fe、Ni、Al、Cu、Pb、Au等 晶格常数：a 晶胞原子数： (a)模型 (b)晶胞 (c)晶胞原子数 配位数:12 (d)配位数 原子半径： a 2 1 r = ： 原子半径 原子个数：6 配位数： 12 致密度：0.74 常见金属： Mg、Zn、 Be、Cd等 晶格常数：底面边长 a 和高 c， c/a=1.633 四、晶体中的晶面和晶向 010 晶面采用晶面指数的方式表达。 O (010) 截距 111 ? ? 取倒数 111 加圆括号 (111) 截距 取倒数 化整数 102 加圆括号 (102) ? 五、晶体的各向异性 单晶体在不同方向和不同晶面上原子排列紧密程度不同，所以在不同方向上的性能也不同，这就叫晶体的各向异性。 如bcc铁晶体 在[111]向上E=290000MN/m2， 在[100]向上E=135000MN/m2。 （一） 多晶体结构和亚结构 单晶体：晶体材料内部原子规律排列，位向不发生改变的晶