碳化硅烧结陶瓷课件.ppt

简介 工艺过程一般可分为两类： （1）将陶瓷粉末成型后，素烧成素坯后由玻璃或金属箔封装后进行HIP烧结，或者由陶瓷粉末直接封装后进行HIP烧结； （2）陶瓷粉成型后，先烧结到无连通的气孔后，再经HIP烧结。 前者需要封装，后者不需要封装。 （3）HIP后处理工艺，可进一步降低陶瓷的气孔率，提高其密度、强度及断裂韧性。 （4）HIP在同一设备中完成素坯的烧结和烧结体的后处理，可大大缩短工艺周期，降低生产成本，并可制造出复杂形状的烧结体。 简介 谢谢大家！ *** *** *** *** ***********有限公司 碳化硅烧结陶瓷 （请按F5全屏观看） ***年**月**日 碳化硅陶瓷的主要类型 按生产工艺划分 1、重结晶碳化硅 R—SiC 2、反应烧结RBSC SiSiC 3、常压烧结（无压烧结 ）SSiC 4、热压烧结5、热等静压烧结 6、微波烧结 综合性能：重结晶＜反应烧结＜无压烧结＜热压烧结＜热等静压烧 1、重结晶碳化硅 R—SiC 简介 R-SiC采用高纯度的碳化硅(SiC )作料，成形后在2 400℃左右的高温下经SiC各晶粒间重新组合而形成的一种高级高温结构陶瓷材料。 特点 1)高温抗折强度达到120 MPa，是普通耐火材料的几倍以上。 2)具有较小的线性膨胀系数和较高的导热系数，导热系数是一般耐火材料的5倍以上，所以具有较高的抗热震稳定性能，这一优异性能为陶瓷行业实现快速烧成，提供了必要条件。 3) SiC品位高，体积密度高，气孔率较低，提高了材料的抗氧化性能，使用寿命长。在电瓷行业1400℃以上，高负载下可使用200次左右，在卫生陶瓷行业可使用800 - 1000)次以上，是普通耐火材料的几倍甚至 十几倍。 性能 重结晶碳化硅具有高工作温度和耐腐蚀性（的特点） 1.36×103 J/Kg℃ 导热系数 Thermal Conductivity ＜4.8 10－6/℃ 热膨胀率Coefficient of Thermal Expansion ≤1600 ℃ 使用温度Operating Temperature ≥80 Mpa 常温抗折强度Bending Strength ≥120 Mpa 常温耐压强度Pressure-resisting strength ＜18 ％ 显气孔率 Apparent Porosity 2.7 g/cm3 密度 Density 0.1 % C含量Content of C 0.08 % Fe2O3含量Content of Fe2O3 0.1 % SiO2含量Content of SiO2 99 % SiC含量Content of SiC 指标 Date 单位 Unit 项目 Item 碳化硅原料 碳化硅原料： 最常用的是两种绿色碳化硅混合 1、D50值1,2-1,7微米，比表面积为7m2， 2、（D50值）80-100微米和更细的（D50 15-20um）混合（但也可使用较好的黑碳化硅）。 化学成分 SIC＞99%、F·C＜0.1、Si+SiO2＜0.1、Fe2O3＜0.08 颗粒形状及粒度组成 1、颗粒形状近似球形，才能达到最紧密的堆积。 2、理想的原料粒度分布为双峰晶粒分布，粗料和细料的配比为6:4。 生产工艺 原料（粗细） 去离子水 结合剂 球磨 制浆 石膏模 注浆成形 胚体修整 烘干 烧成 切割包装 1、R-SiC窑具的成形方法一般有注浆成形、捣打成形、挤出法和等静压成形等。但生产陶瓷窑具的横梁和棚板等最为经济实用的依然是注浆成形法。 2、坯体一般在80一100 ℃之间烘干30 h以上即可，要求水分小于0.5%。 3、烧结机理遵循“蒸发一凝聚”的原理，即粗颗料为骨料，细颗料蒸发而凝聚在骨料周围。升温开始阶段要缓慢以便排除坯体的水分，进入高温区域，晶体长大，在最高温度2 450℃左右再保温1一3h即可。整个过程沪内通以高纯氨气为保护气体。 添加剂 真空压力 高纯氩气 应用 1、耐火窑具。 2、电子传播元件。 生产厂家 唐山市唐山市开发区大庆道71号 福赛特(唐山)技术陶瓷工业有限公司 4 唐山市路北区 唐山西外环韩城工业园 唐山富达莱碳化硅陶瓷有限公司 3 潍坊市坊子区 荆山洼镇 潍坊市北海精细陶瓷有限公司 2 河南省郑州巩义市小关镇 郑州华泰节能陶瓷有限公司 1 地址 联系电话 生产厂家 序号 2、反应烧结 SiSiC 简介 反应烧结SiC又称自结合SiC，是由α—SiC粉和石墨按一定比例混台成坯体后，并加热到1650 ℃左右，同时熔渗 Si或通过气相Si渗入坯体，使之与石墨起反应生成β—SiC，把原先存在的α—SiC颗粒结合起来。如果渗Si完全，就可得到完全致密、无尺寸收缩的反应烧结体。反应烧结虽可制得形状复杂的致密SiC陶瓷，并且具