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第五节 大功率晶体管GTR 晶体管对大家来说并不陌生，在模拟电路中都学习了晶体管。知道晶体管有三个区域：截止区、放大区、饱合区。 当时主要讲晶体管的放大原理，要求实现信号的不失真放大。 而现在讲电力电子学，功率晶体管主要工作在开关状态。其主要应用在截止区和饱合区。 工作在高电压和大电流的条件下的晶体管常称之为巨型晶体管，其英文为Giant Transistor,缩写为GTR。GTR是耐高压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor__BJT）. 一、功率晶体管的分类及结构： 功率晶体管GTR按导电类型可分为：NPN和PNP两大类。一般是由三层半导体形成两个PN结，以NPN晶体管为主。按封装形式可分为平板型、螺栓型、塑封管； 如图1-43所示的结构为单管型，其中半导体类型字母的右上角标‘+’表示高掺杂浓度；右上角标‘-’表示低掺杂浓度。 其通断时间短，饱和压降低，但电流放大倍数小，仅为10～30倍左右。 按制造工艺可分为一重扩散、双失重扩散和三重扩散（晶体管的集电区、基区和发射区皆由扩散方法形成）；按其组合可分为单管、复合管（达林顿晶体管）和模块； 目前最常用的是达林顿模块，如图1－44所示，它是分离基区的达林顿结构的GTR，V1和V2管的基区是互相独立的，续流用二极管V3集成在同一硅片上，这种结构做成的晶体管电流增益高，其电流放大倍数可达100-1000倍，基极驱动电流非常小，但饱和压降大，通断时间长。 实际应用中也常将单个或多个达林顿结构GTR及其辅助电路软件如续流二极管、稳定电阻、加速二极管等制作在一起，采用环氧树脂密封而成，结构紧凑，功能强，体积小。模块和组件与分立式GTR器件相比较是体积大大减小，重量大大减轻；电路结构紧凑，引线电感小，寄生效应小，电路和装置运行更加可靠。图1-45是三菱公司的50A模块的内部电路图。 二、功率晶体管的特性： 1、功率晶体管的共发射极伏安特性见图1-46，其工作状态可分为截止、饱和与放大三个区域。功率晶体管主要作为功率控制用的开关元件，因此主要工作在截止区、饱和区，开关要么导通，要么截止，只能在这两种状态之一。 从截止区到饱和区，或从饱和区到截止区的时间要尽可能短，以保证开通损耗和关断损耗较小。 2、 功率晶体管的输入输出动态特性 如图1-47所示，用基极电流来驱动功率晶体管，但是当基极电流注入后，功率晶体管并不能马上开通，要经过延迟时间td和上升时间tr后才认为是导通了。 开通时间 Ton=td+tr 延迟时间是由发射结势垒电容和集电结的势垒电容充电产生的。 增大基极驱动电流可以缩短延迟时间td； 关断时要经过储存时间ts和下降时间tf才能关断; 关断时间 Toff=ts+tf 储存时间是把饱和时存储在基区的载流子抽出所用的时间，是关断时间的主要部分 减小导通时的饱和深度可以减少存储在基区的载流子，可以减小储存时间； 增大基极抽取负电流的幅值和负偏压，也可以减小储存时间 功率晶体管导通时，越低，元件的功耗越小，元件品质越优良。 一般来说，电感性负载时电流上升时间与下降时间比阻性负载短。 三、功率晶体管的参数： 对于实际电路设计要研究电源电压的变动、过负载能力、环境温度等因素，按最坏条件选用功率晶体管，既要有较高的效率，又要保证高可靠性，最重要的一点就是工作瞬间时不要超过功率晶体管的最大额定值 ，如果超过最大额定值就会损坏晶体管。 １、电流放大系数： GTR通常连接成共发射极，其集电极电流和基极电流之比称为GTR的电流放大系数， 它反映了基极电流对集电极电流的控制能力，其值为：； 当我们考虑集电极和发射极间的漏电流 时，其集电极电流: 对于两级达林顿晶体管，其电流放大系数 ；显而易见采用达林顿接法可以有效地提高电流增益。 器件手手册中通常给出直流电流增益，一般在应用中可认为 来计算。 2、额定电压： 不使功率晶体管击穿的最大电压称为额定电压。 额定电压是加在晶体管的集电极、发射极、与基极间最大电压表示. 有发射极开路时集电极与基极间的反向击穿电压 、 基极开路时和发射极间的击穿电压 、 发射结反向偏值时集电极和发射极间的反向击穿电压 等， 一般关系为： 。 3、额定电流 ： 额定电流没有特别规定，一般有功率晶体管内部导线允许电流最大值是 ， 为了保证功率晶体管的工作正常，避免造成管子电性能变差乃至使管子破坏，额