第二章薄膜制备技术修改详解.ppt

Cat-CVD技术的特点： Cat-CVD具有低温生长的特性，且不存在等离子体引起的损伤，适用于大面积薄膜的制备，并引入较少的H，因此在制备成本、化合物半导体、稳定性等方面显示出很强的优势。 作业： 通常所指的薄膜的厚度范围是多少？写出5种制备薄膜的方法，并简要描述其中2种制备方法。 被H2稀释了的SiH4气体或纯的SiH4气体，经过流量调节阀进入预先抽到高真空度（0.0133Pa以下）的反应室内，也可以同时通入其它气体或微量的乙硼烷（B2H6）和磷化氢（PH3）气体，以获得其它硅基合金或掺杂的非晶态半导体薄膜。与此同时，利用机械泵和扩散泵排出这些气体。调节气体流量，可以使反应室的总气压达到所要求的值（13.3～1333.3Pa）。当在系统的两个电极之间加上电压时，由阴极发射出的电子从电场中得到能量，与反应室中的气体原子或分子碰撞，使其分解、激发或电离形成低温低压等离子体，利用等离子体的高度化学活性在基片表面发生化学反应，在较低的温度和压力下形成高质量的硅薄膜。 化学反应式为： p-Si：SiH4+B2H6?p-a-Si:H i-a-Si：SiH4?i-a-Si:H n-Si：SiH4+PH3?n-a-Si:H 注意：硅烷和氢气均为易燃易爆气体，必须在具有安全防护措施的环境条件下才能使用。在排放过程中需用大流量的氮气或其它惰性气体充分稀释后才能排空。否则会造成排放喷火、爆鸣；严重的会爆泵等危及人身和设备安全。 硼烷和磷烷均为有毒有害气体，必须使用低浓度3%以下的稀释气体，同时做好安全防护。 VHF PECVD技术之所以能够提高沉积速率,最主要的原因是其激发频率的作用。在高频率变化电场的作用下,等离子体中相应的电子浓度提高,而电子温度下降。这样大量低温电子同SiH4、H2碰撞时产生的各种离子和基团的数量就多，从而很大程度地提高了生长速度并且也促进了薄膜的有序化生长。 2.7 溶胶－凝胶法 2.7.1 概述 溶胶－凝胶（Sol-Gel）合成是一种近期发展起来的能代替高温固相合成反应制备陶瓷、玻璃和许多固体材料的新方法。溶胶-凝胶（Sol-Gel）技术是指金属有机或无机化合物（称前驱物），经溶液、溶胶、凝胶而固化，在溶胶或凝胶状态下成型，再经热处理转化为氧化物或其他化合物固体材料的方法，是应用胶体化学原理制备无机材料的一种湿化学方法。 Sol-Gel过程是一种用金属烷氧化物或金属无机盐在较低温度条件下制备无机氧化物的方法，反应涉及Sol-Gel过程中的水解以及水解中间产物的聚合或缩合。 通常利用金属醇盐或其它盐类溶解在醇、醚等有机溶剂中形成均匀的溶液，溶液通过水解和缩聚反应形成溶胶，进一步的缩合反应经过溶胶－凝胶转变成凝胶，再经过热处理，除去凝胶中的剩余有机物和水分，最后形成所需要的薄膜。与其它制备薄膜的方法相比，这种技术有以下几个特点： ①工艺设备简单，不需要任何真空条件或其它昂贵的设备，便于应用推广； ②通过各种反应物溶液的混合，很容易获得所需要的均匀相多组分体系，且易于实现定量掺杂，可以有效地控制薄膜的成分及结构； ③对薄膜制备所需温度低，从而能在较温和条件下制备出多种功能材料，对于制备那些含有易挥发组分或在高温下易发生相分离的多元体系来说非常有利； ④很容易大面积地在各种不同形状（平板状、圆棒状、圆管内壁、球状及纤维状等）、不同材料（如金属、玻璃、陶瓷、高分子等）的基底上制备薄膜，甚至可以在粉体材料表面制备一层包覆膜，这是其它的传统工艺难以实现的； ⑤溶胶－凝胶技术制备薄膜从纳米单元开始，在纳米尺度上进行反应，最终制备出具有纳米结构特征的材料，因此又是制备纳米结构薄膜材料的特殊工艺； ⑥用料省，成本较低。 2.7.2 溶胶－凝胶方法制备薄膜工艺 溶胶－凝胶法（Sol-Gel）制备薄膜工艺按照溶胶的形成方法或存在状态，可以分为有机途径和无机途径。有机途径是通过有机金属醇盐的水解与缩聚而形成溶胶。在该工艺过程中，因涉及水和有机物，所以通过这种途径制备的薄膜在干燥过程中容易龟裂（由大量溶剂蒸发而产生的残余应力所引起）。客观上限制了制备薄膜的厚度。无机途径则是将通过某种方法制得的氧化物微粒，稳定地悬浮在某种有机或无机溶剂中而形成溶胶。通过无机途径制膜，有时只需在室温下干燥即可，因此容易制得10层以上而无龟裂的多层氧化物薄膜。 用Sol-Gel法制备材料的具体技术和方法很多，按其溶胶、凝胶的形成方式可分为传统胶体法、水解聚合法和络合物法三种，如图2-3所示。三种方法的特征和主要用途列于表2-4。 前驱物溶液 水解溶液 凝 胶 络合物溶胶 细密荷电颗粒溶胶 化学添加剂 络合剂 水 催化剂 聚合 调节pH值， 添加电解质， 溶剂蒸发 低压蒸发 图2-3 Sol-Gel合成的工艺方法 方法 特