大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法.pdfVIP

第25卷第2期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．25，No．2 HIGH 2013年2月 POWERI．ASERANDPARTICLEBEAMS Feb．，2013 文章编号： i001—4322(2013)02—0485—05 大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法’ 周 东1’2，u， 郭 旗1’2， 任迪远1’2， 东 2 席 斌 2 3 善 豫∽ 孙 静1’2， 文 李林 (1．中国科学院新疆理化技术研究所，乌鲁木齐830011；2．新疆电子信息材料与器件重点实验室，乌鲁木齐830011； 3．中国科学院研究生院，北京100049) 摘 要： 空间辐射环境会对电子器件产生辐射损伤。由于商用器件性能普遍优于抗辐射加固器件，所以 从商用器件中筛选出抗辐射性能优异的器件将在一定程度上提高空间电子系统的可靠性。结合数学回归分析 与物理应力实验的方法，研究了集成电路抗辐射性能无损筛选技术。通过不同的外界能量注入及总剂量辐照 实验，探究电路典型参数的应变情况与电路耐辐射性能的关系，并确定其辐射敏感参数；建立预测电路抗辐射 性能的多元线性回归方程，并对应力条件下的回归方程进行辐照实验验证。结果显示，物理应力实验与数学回 归分析结合的筛选方法减小了实验值与预测值的偏差，提高了预估方程的拟合优度和显著程度，使预估方程处 于置信区间。 关键词： 大规模集成电路； 无损筛选； 辐射损伤； 回归分析； 物理应力 中图分类号：TN791 文献标志码： A doi：10．3788／HPLP0485 目前，大量电子元器件应用于航天电子系统，然而空间辐射环境会对电子元器件产生辐射损伤，给航天电 子系统带来风险。虽然使用抗辐射加固电子元器件可以有效提高系统安全性及稳定性，但由于抗辐射加固的 集成电路研制周期很长，成本很高，且微电子技术发展迅速，使得加固集成电路的性能比当前主流技术落后二 代以上。因此从性能先进的商用大规模集成电路中筛选出抗辐射性能好的器件，对提高处于辐射环境中电子 系统的安全性及稳定性具有重要的意义。目前国内外主要有两种筛选方法，一种是通过向器件内部注人物理 对器件的筛选性能，但是研究中多针对产品的成品率、实验成本等方面的内容，并没有给出预估结果[1。33；另一 种是通过数学统计的方法。根据线性回归方程预测器件的性能，从而达到筛选的目的。Michael R．Cooper等 人基于应力实验，通过统计的方法对器件筛选进行了相关研究，但是研究对象着重是各种应力实验的效果比 对，并未从器件具体参数上给出筛选的结果，不能达到预估的效果[4。6]。综合目前主流筛选方法可以发现，物理 应力实验的方法是建立在器件辐射损伤的物理基础上，具有较高的准确性，但能量注入的方式、多少，将带来器 件损伤程度与信息有效性的矛盾；数学统计的方法可以得到统计的结果，但此种方法是建立在数学统计基础上 的，缺少物理基础的支持。就目前的筛选方法来看，筛选实验无法保证筛选过程是无损筛选，并且不能对器件 的性能进行准确预估，无法达到筛选的目的。鉴于以上情况，本文采用商用Intel80C196KB单片机为研究对 象，将两种方法结合，得出预估方程，预测器件的抗辐射性能。 1实验方法 将物理应力实验与多元线性回归相结合，研究了单片机抗辐射性能的无损筛选方法。首先，根据应力实验 前的初始数据与总剂量辐照后选择的辐照性能参数(表征器件辐射性能的信息参数)选择出辐照信息参数(与 辐照性能参数相关性较强的普通信息参数)竹。，咒：，咒。，竹。，咒。，然后线性拟合得到初始回归方程厂(咒)；再根据应 力实验后的实验数据与总剂量辐照后选择的辐照性能参数选择出辐照信息参数m，，m：，m。，m。，m。，这些信息 参数与应力实验前选择