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IR2110的应用 摘要：介绍了IR2110 的内部结构和特点，高压侧悬浮驱动的原理和自举元 件的设计。针对IR2110 的不足提出了几种扩展应用的方案，并给出了应用实例。 关键词：悬浮驱动；栅电荷；自举；绝缘门极 1 引言 在功率变换装置中，根据主电路的结构，其功率开关器件一般采用直接驱动 和隔离驱动两种方式。采用隔离驱动方式时需要将多路驱动电路、控制电路、主 电路互相隔离，以免引起灾难性的后果。隔离驱动可分为电磁隔离和光电隔离两 种方式。 光电隔离具有体积小，结构简单等优点，但存在共模抑制能力差，传输速度 慢的缺点。快速光耦的速度也仅几十kHz。 电磁隔离用脉冲变压器作为隔离元件，具有响应速度快（脉冲的前沿和后沿）， 原副边的绝缘强度高，dv/dt 共模干扰抑制能力强。但信号的最大传输宽度受磁 饱和特性的限制，因而信号的顶部不易传输。而且最大占空比被限制在50％。而 且信号的最小宽度又受磁化电流所限。脉冲变压器体积大，笨重，加工复杂。 凡是隔离驱动方式，每路驱动都要一组辅助电源，若是三相桥式变换器，则 需要六组，而且还要互相悬浮，增加了电路的复杂性。随着驱动技术的不断成熟， 已有多种集成厚膜驱动器推出。如EXB840/841、EXB850/851、M57959L/AL、 M57962L/AL、HR065 等等，它们均采用的是光耦隔离，仍受上述缺点的限制。 美国IR 公司生产的IR2110 驱动器。它兼有光耦隔离（体积小）和电磁隔离 （速度快）的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。 2 IR2110 内部结构和特点 IR2110 采用HVIC 和闩锁抗干扰CMOS 制造工艺，DIP14 脚封装。具有独立的 低端和高端输入通道；悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V，dv/dt ±50V/ns，15V 下静态功耗仅116mW；输出的电源端（脚3,即功率器件的栅极驱动 电压）电压范围10～20V；逻辑电源电压范围（脚9）5～15V，可方便地与TTL，CMOS 电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V 的偏移量；工作频率高， 可达500kHz；开通、关断延迟小，分别为120ns 和94ns；图腾柱输出峰值电流为 2A。 IR2110 的内部功能框图如图1 所示。由三个部分组成：逻辑输入，电平平移 及输出保护。如上所述IR2110 的特点，可以为装置的设计带来许多方便。尤其是 高端悬浮自举电源的成功设计，可以大大减少驱动电源的数目，三相桥式变换器， 仅用一组电源即可。 图1IR2110 的内部功能框图 图2 半桥驱动电路 3 高压侧悬浮驱动的自举原理 IR2110 用于驱动半桥的电路如图2 所示。图中C1、VD1 分别为自举电容和二 极管，C2 为VCC 的滤波电容。假定在S1 关断期间C1 已充到足够的电压（VC1≈ VCC）。当HIN 为高电平时VM1 开通，VM2 关断，VC1 加到S1 的门极和发射极之 间，C1 通过VM1，Rg1 和S1 门极栅极电容Cgc1 放电，Cgc1 被充电。此时VC1 可 等效为一个电压源。当HIN 为低电平时，VM2 开通，VM1 断开，S1 栅电荷经Rg1 、 VM2 迅速释放，S1 关断。经短暂的死区时间（td）之后，LIN 为高电平，S2 开 通，VCC 经VD1，S2 给C1 充电，迅速为C1 补充能量。如此循环反复。 4 自举元器件的分析与设计 如图2 所示自举二极管（VD1）和电容（C1）是IR2110 在PWM 应用时需要严 格挑选和设计的元器件，应根据一定的规则进行计算分析。在电路实验时进行一 些调整，使电路工作在最佳状态。 4.1 自举电容的设计 IGBT 和PM（POWERMOSFET ）具有相似的门极特性。开通时，需要在极短的时 间内向门极提供足够的栅电荷。假定在器件开通后，自举电容两端电压比器件充 分导通所需要的电压（10V，高压侧锁定电压为8