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3.4 半导体材料的制备工艺方法 晶体生长方法 根据晶体生长时的物相变化，晶体生长技术可以分成以下几类： 气相－－固相：雪花的形成。 液相－－固相：分为两类。一类是从溶液中通过降温、蒸发、化学反应等方式控制饱和度等使得晶体结晶；另一类是从熔体中结晶。 固相－－固相：由于晶体的化学能较低，自然界中的非晶态、多晶态等物质，经过亿万年多少会有晶化现象，而晶体物质也有可能通过相变、再结晶等方式发生变化。 3.4 半导体材料的制备工艺方法 气相法 气相法生长晶体，将晶体材料通过升华、蒸发、分解等过程转化为气相，然后通过适当条件下使它成为饱和蒸气，经冷凝结晶而生长成晶体。 特点： 生长的晶体纯度高； 生长的晶体完整性好； 晶体生长速度慢； 有一系列难以控制的因素，如温度梯度、过饱和比、携带气体的流速等。 主要用于外延薄膜的生长 3.4 半导体材料的制备工艺方法 气相法 同质外延 衬底和外延层的材料属于同一种材料，如在硅衬底上生长硅外延层 异质外延 衬底和外延层的材料属于不同材料，如在蓝宝石上生长GaAs外延层 准异质外延 外延层与衬底之间存在着某些化学上的共性，如GaP/GaAs，GaSb/GaAs，ZnSe/ZnTe，即外延层与衬底的晶格结构一般是相同的 3.4 半导体材料的制备工艺方法 溶液法 溶液法的基本原理是将原料（溶质）溶