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第一章　光电信息技术物理基础 理论基础 光学基础 电路基础 1956诺贝尔物理学奖 J.巴丁 研究半导体并发明晶体管 1956诺贝尔物理学奖 W.H.布拉顿 研究半导体并发明晶体管 1956诺贝尔物理学奖 W.肖克莱 研究半导体并发明晶体管 （1）由于光电导不存在一个明显的长波限，T.S.莫斯提出把光电导的数值降到最大值一半时所处的波长定为长波限。 （2）在长波方向，光电导迅速下降原因：长波部分，光子能量低，不足以引起本征光吸收。 （3）在短波方向，如果光滑曲线是等能量曲线，由照射的光子数目少，自然引起光电导下降；如果光谱曲线是等量子曲线，由于波长短，样品对光的吸收系数大等原因，光生载流子只能发生在表面，大大降低量子产额。 2、杂质光电导的光谱分布 　　半导体杂质吸收光子将杂质能级上的电子或空穴激发成为自由的光生载流子，这就要求光子能量必须大于等于杂质的电离能。由于杂质的电离能小于禁带宽度，因此杂质光电导的光谱响应波长比本征光电导的长。同时由于杂质原子数目少，所以杂质光电导效应相对本征光电导来说也微弱得多。 图1.1.3-4 掺有不同量砷施主杂质的掺金锗杂质光电导光谱分布曲线 　　由图可知，光电导在光子能量0.7eV附近陡起明显，表示本征光电导开始。在本征光电导长波限左边，光子能量小于锗禁带宽度（0.68eV），这时光电导显然是杂质光电导。光谱曲线