第二章电阻测量精要.ppt

★.传导电流的载流子 金属：电子公有，可自由移动。所有金属原子的价电子在整个晶体范围内集体公有。原子的排列对价电子而言构成周期势场。 半导体：电子，空穴。 电介质：(弱场)离子电导为主；(强场)电子电导为主。 一般绝缘体：禁带中出现缺陷能级引起电子电导、离子电导，电子过程仍是次要的。 超导体：由普通传导电子和超导电子的二流体模型。 交叠 导带 价带 金属 半导体 绝缘体 ?E 0.5~1.5eV 1.5 ~8eV 图2-50 三种材料能带简图 第二章 完 回目录 第三章 作业1： 1.为什么要使用三电极系统？ ①将IV和IS分开， ②使测量电极间电场均匀(去除边缘效应,可用均匀电场下公式计算电阻率)。 2.(测体电阻率)使用二电极的场合 ①厚度很小时, IV IS ，?s /?V很大时， ②不能用三电极情况， ③g不能太大，否则会增大体积电流的影响。 3.画出三电极测体积电流和表面电流的原理图。 1.测量电极 2.保护电极 3.高压电极 1.高压电极 2.测量电极 3.保护电极 作业2： 惠斯登电桥当m，n 不等电位此时，电位差计的灵敏度为0.1mV，电压源为100V，标准电阻RN=109 ?,Rx=1011 ?,试求Rx的测试误差。 惠斯登电桥电路原理图 作业3： 等距离四探针法电阻测试如图所示，试根据该图推导出在已知探针间距离L及电流I的情况下，试推出通过测量U23计算材料电阻率的公式。如果是矩形探针呢？ 1 2 3 4 L L L ＋ － (七)充电法测绝缘电阻 电压U0，就可求得电容器上的电荷Q，此时Q的大小决定于通过试样的电流Ix和充电时间t(Qx=Ixt)；另一方面，由于测试回路上施加的电压U是一定的，当C0上的电压上升U0时，试样上电压必然要下降U0，而试样本身也是一个电容器，其电容为Cx，因此要放出电荷CxU0，这部分电荷也充电于C0上但极性与Qx相反。 充电法测量的原理是：让通过试样的泄漏电流对与试样串联的标准电容器C0充电，测出充电一定时间t后，C0两端的 图2-26 ★1、先闭合开S2后加电压，经过1min打开S2 ，开始计时间t。 2、开关S、标准电容器C0以及静电计的绝缘电阻必须足够 高，使得在t时间内泄漏掉的电荷可以忽略不计，否则 也会使测得的电阻值偏大。 图2-26 (八)自放电法测电阻 除了高压直流电源之外，只需绝缘电阻很高的一个静电电压表和两个开关。 测量方法： 1、先闭合S1、S2，对试样充电，测得这时试样两端的电压U1； 2、将S1打开、S2闭合，并开始计时间，让试样通过它自身的电阻放电。经过时间t之后，再闭合S2，测得这时试样上的电压U2。 图2-27 ★ ★ （九）高阻测量的保护技术 当测量电阻值很高的时，线路中各元件及开关支架造成的漏电流，以及外来感应电动势和残余极化电荷引起的附加电流等，都会给测量带来很大的误差，因此必须采用相应的措施来解决这一问题。 1、漏电流的影响 当被测量电阻很高（例如介质绝缘电阻）时，由于线路中的元件、支架等的绝缘电阻不可能无限大，而这些杂散电阻又并联在试样的两端，会造成很大的误差。 先断开被测试样的接线，再接通电源，使仪表处于正常工作状态，然后逐渐加大灵敏度直到测量所需的范围。若指针没有偏转，则可认为漏电流的影响可以忽略不计。 2.外来势场的影响 在测量电阻时，由于网络各臂的电阻都很高，微弱的感应电势会造成很大的误差，因此要给予充分的注意。 采用屏蔽技术消除外界感应电势。 3.极化电荷的影响 极化电荷的影响是电介质测试技术中的一个特殊的问题，其产生的原因是，电场的作用促使在介质与电极界面集聚极化电荷。当电场消失后，极化电荷不能立即消失，在这种情况下继续测量，就会产生很大的误差。 测试前后均应将试样两电极短路，以便消除残存的极化电荷。 课堂作业： 惠斯登电桥电路原理如下图所示，(1)试推导出电桥平衡时，待测电阻Rx的计算公式；(2)当电桥不平衡即m、m不等电位时，试推导Rx的最大误差； (3)U=1000V，RB=108Ω ，Rx=1012Ω ，惠斯登电桥当m、n不等电位时，电位差计的灵敏度为1mV，Rx的测试误差。 m U Rx RA RN RB n 四.低阻和超低