第四讲离子类载流子导电精要.pptVIP

弗仑克尔缺陷的填隙离子和空位的浓度相等。都可表示为： 离子晶体要具有离子电导的特性，必须具备以下条件： 1）电子载流子的浓度小； 2）离子晶格缺陷浓度大并参与电导。因此离子型晶格缺陷的生成及其浓度大小是决定离子电导的关键。 影响晶格缺陷生成和浓度的主要原因是： 1）由于热激励生成晶格缺陷； 2）不等价固溶掺杂形成晶格缺陷； 3）离子晶体中正负离子计量比随气氛的变化发生偏离，形成非计量比化合物，因而产生晶格缺陷。 * 第四讲 材料电性能 — 离子类载流子导电 离子电导： 带电荷的离子。 本征导电（离子导电、空位导电） 杂质导电 本征导电 高温 ☆ 晶格与离子的联系 低温 杂质导电 4.1 离子电导理论 一.载流子浓度 对于固有电导（本征电导），载流子由晶体本 身热缺陷——弗仑克尔缺陷和肖脱基缺陷提供。 单位体积的载流子数目。 晶体结构与晶体缺陷的概念 晶体结构 固体的结构分为： 非晶体结构 多晶体结构 点阵：晶体内部结构概括为是由一些相同点子在空间有规则作周期性无限分布 晶体格子（简称晶格）：晶体中原子排列的具体形式。 简单立方晶格： 原子球的正方排列 简单立方晶格典型单元 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 简单立方晶格单元沿着三个方向重复排列构成的图形 晶体缺陷： 图4.1 晶体中的各种点缺陷 1-大的置换原子；2-肖脱基空位；3-异类间隙原子；4-复合空位；5－弗兰克尔空位；6-小的置换原子 类型:弗仑克尔缺陷（Frenkel defect）和肖特基缺陷（Schottky defect） 定义:热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。 热缺陷—点缺陷 Frenkel 缺陷 Schottky 缺陷 图4.2 弗仑克尔缺陷与肖特基缺陷示意图 肖特基空位浓度，在离子晶体中可表示为： 一般肖特基缺陷形成能比弗仑克尔缺陷形成能低许多。 二.离子迁移率 高度为U0的“势垒” 某一间隙离子由于热运动, 越过位势垒。根据玻尔兹曼统计规律，单位时间沿某一方向跃迁的次数为： ——间隙离子在半稳定位置上振动的频率。 无外加电场——无电荷定向运动 有外加电场——电荷定向运动 则顺电场方向和逆电场方向填隙离子单位时间内跃迁次数分别为： 则单位时间内每一间隙离子沿电场方向的剩余跃迁次数为： δ－相邻半稳定位置间的距离 每跃迁一次距离为δ，迁移速度为 当电场强度不大时， 同样： 迁移率: 是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。 同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm2/(VS)。 迁移率主要影响到晶体管的两个性能： 一是影响半导体材料的电导率 ； 二是影响器件的工作频率。 载流子沿电流方向的迁移率为： 1.离子电导的一般表达式 三.离子电导率 ——电导激活能，它包括缺陷形成能和迁移能。 本征离子电导率的一般表达式为： 杂质离子： 式中： N2——杂质离子浓度 若物质存在多种载流子，其总电导率为： 4.2 离子电导与扩散 离子导电是离子在电场作用下的扩散现象。 离子扩散机构主要有： ①空位扩散；②间隙扩散；③亚晶格间隙扩散。 一般间隙扩散比空位扩散需更大的能量。间隙-亚 晶格扩散相对来讲晶格变形小，比较容易产生。 图4.5 离子扩散机构示意图 (a) 空位扩散 (b) 间隙扩散 (c) 亚晶格间隙扩散 能斯特-爱因斯坦（Nernst-Einstein）方程 电流密度： 扩散通量：（用J表示） n为载流子单位体积浓度；x为扩散方向；q为离子电荷量；D为扩散系数。 当存在电场E时，其产生