项目1节能灯电路的制作详解.pptVIP

　　3. PN结的单向导电性　　当PN结的P区接外电源的正极，N区接外电源的负极时，称为“正向连接”，也叫做“正向偏置”，此时外电场与内电场的方向相反，扩散与漂移运动的平衡被破坏。外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷，同时N区的自由电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷，于是空间电荷区变窄，内电场被削弱，多数载流子的扩散运动增强，形成较大的扩散电流(由P区流向N区的正向电流)，如图1.22所示。 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 三价元素硼(B) B + 掺入硼杂质的硅半导体晶格中，空穴载流子的数量大大增加。因此空穴是这种半导体的导电主流。 掺入三价元素的杂质半导体，由于空穴载流子的数量大大于自 由电子载流子的数量而称为空穴型半导体，也叫做P型半导体。 在P型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电 子，而不能移动的离子带负电。 － （3）杂质半导体—P型半导体 本征半导体虽然有自由电子和空穴两种载流子，但由于数 量极少导电能力仍然很低。如果在其中掺入某种元素的微量 杂质，将使掺杂后的杂质半导体的导电性能大大增强。 + 五价元素磷(P) ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 P 掺入磷杂质的硅半导体晶格中，自由电子的数量大大增加。因此自由电子是这种半导体的导电主流。 在室温情况下，本征硅中的磷杂质等于10-6数量级时，电 子载流子的数目将增加几十万倍。掺入五价元素的杂质半导 体由于自由电子多而称为电子型半导体，也叫做N型半导体。 （3）杂质半导体—N型半导体 2. PN结的形成过程及其单向导电性 PN结的形成 杂质半导体的导电能力虽然比本征半导体极大增强，但它 们并不能称为半导体器件。在电子技术中，PN结是一切半导 体器件的“元概念”和技术起始点。 在一块晶片的两端分别注入三价元素硼和五价元素磷 + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － － － － － － － － － P区 N区 空间电荷区 内电场 可变电阻器（电位器） 1.1.1 电阻器的型号命名方法 第二部分 材 料 第三部分 特征分类 第四部分 符号 意义 符号 意义 符号 意 义 电阻器 电位糖 R W 电阻器 电位器 T H S N J Y C I P U X M G 碳膜 合成膜 有机实芯 无机实芯 金属膜 氧化膜 沉积膜 玻璃釉膜 硼碳膜 硅碳膜 线绕 压敏 光敏 1 2 3 4 5 6 7 8 9 G T W D 普通 普通 超高频 高阻 高温 —— 精密 高压 特殊 高功率 可调 —— —— 普通 普通 —— —— —— —— 精密 特殊函数 特殊 —— —— 微调 多圈 对主称、材料特征相同，仅尺寸、性能略有差 别、但基本上不影响互换 的产品给同一序号。 若尺寸、性能指标的差别已影响互换时，则在 序号后面用大写字母作 为区别代号予以区别。 R 热敏 B C P W 2 温度补偿用 温度测量用 旁热式 稳压式 正温度系数 电阻器型号各部分意义 示例 电阻器的型号是由一组字母和数字排列而成的。 例：RJ710.125 5.1K I R J 7 1 0.125 5.1K I 第一部分 第二部分 第三部分 序号 功率 标称阻值 允许误差 名称 材料 分类 1/8W 5.1KΩ I级±5％ 电阻器 金属膜 精密 1.1.2 电阻器的主要参数 电阻器参数很多，通常考虑标称阻值、允许偏差和额定功率等。对有特殊要求的电阻器还需考虑它的温度系数和稳定性、最大工作电压、噪声和高频特性（高频下电阻的寄生电感和寄生电容影响）等。 1. 标称阻值与允许偏差 电阻器的标称阻值及其允许偏差有E6、E12、E24、E48、E96、E192六个系列，表1.3所示为E24、E12和E6和三个系列。 电阻器标称阻值和实测值之间允许的最大偏差范围叫做电阻器的允许偏差。通常电阻器允许偏差分为三级：Ⅰ级误差为±5%，Ⅱ级误差±10%，Ⅲ级误差为±20%。 表1.3 电阻的标称系列 系列 偏差 电阻的标称值 E24 Ⅰ级±5% 1.0 1.1 1.2