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第5章 离子注入 内容 5.1 概述 5.2 离子注入原理 5.3 等离子体基离子注入（PBII）基本原理 5.4 离子渗氮基本原理及工艺 离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有电活性。 离子注入应用： 注入的粒子流： 非金属元素：N、C、B等； 耐蚀抗磨金属元素：Ti、Cr、Ni等； 固体润滑元素：S、Mo、Sn、In等； 耐高温元素：Ir 其它： 稀土元素 1963年，Lindhard, Scharff and Schiott首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称 LSS理论。 该理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程 (1) 核碰撞（nuclear stopping） (2) 电子碰撞 （electronic stopping） 阻止本领（stopping power）：材料中注入离子的能量损失大小。 核碰撞 核碰撞：能量为E的一个注入离子与靶原子核碰撞，离子能量转移到原子核上，结果将使离子改变运动方向，而靶原子核可能离开原位，成为间隙原子核，或只是能量增加。 影响注入离子分布的因素 实际上高能离子入射到衬底时，一小部分与表面晶核原子弹性散射，而从衬底表面反射回来，未进入衬底，这叫背散射现象. 离子注入工艺技术 离子注入法能用对离子束电流量及电压的控制来改变掺杂的浓度与深度，已取代传统的热扩散工艺，成为超大规模IC最主要的掺杂工艺。 电流范围：中电流1~2mA；高电流10~30mA 能量范围：10~200KeV 工艺参数：杂质种类、杂质注入浓度、杂质注入深度 设备参数：弧光反应室的工作电压与电流、热灯丝电流、离子分离装置的分离电压及电流、质量分析器的磁场强度、加速器的加速电压、扫描方式及次数 注入离子浓度由离子束的电流、晶片经离子束扫描的次数和速度等决定。 注入前把晶片送入热管炉热氧化生长一层20~40nm的二氧化硅，防止沟道效应。 Ion Implanter 离子注入设备 5.3 等离子体基离子注入（PBII）基本原理 原理： 采用热阴极、射频（RF）、电子回旋共振（ECR）、金属蒸汽真空放电（MeVVA）等方法产生弥漫在整个真空室内PBII所需的等离子体，使工件直接湮灭在等离子体中。形成鞘层后，以工件为阴极，真空室壁为阳极，施加一高压脉冲，工件表面附近电子被逐出，正离子在电场作用下被加速，射向工件表面并注入工件表面。 上图是PBⅡ装置示意图。设备由真空室、进气系统、等离子体源、等离子体、真空泵系统、电绝缘工件台和脉冲高压电源组成。 在PBⅡ加工时，先将工件置于真空室内，由于等离子体中电子的运动速度远大于正离子速度，因此由于热运动而随机投向工件表面的电子流量要比正离子大得多，于是将形成近工件表面处富集电子而近等离子体侧则富集正离子所谓Langmuir鞘层。然后以工件为阴极，真空室壁为阳极，施加一高电压脉冲。在此瞬时，工件表面附近电子被逐出，而正离子在电场作用下被加速，射向工件表面并注入工件表面。 目前等离子体基离子注入已不仅局限于气体介质的离子注入(GaPBⅡ)，而且可以进行金属的注入(MePBⅡ)，以及金属和气体离子多元离子复合注入。通常MePBⅡ的设备要比GaPBⅡ的复杂；其金属离子往往大于一价，而GaPBⅡ的离子一般为一价或半价；而且MePBⅡ能提供较大的剂量，高斯浓度分布不明显。因此气体介质和金属离子的PBⅡ技术尚存在一定区别。 特点： 除具有离子注入的特点外，还具有： 克服视线加工的局限，实现全方位注入； 高效率，操作控制安全方便； 批量生产。可形成独立离子注入系统——每个工件与其周围的等离子鞘层； 生产成本降低。 设备不需旋转和往复，故可去掉复杂的移动靶台和等离子束扫描装置。 应用： 铝合金基体——注氮，形成AlN相，提高硬度、耐磨性； Ti-6Al-4V，304不锈钢——注碳（甲烷），提高摩擦和抗腐蚀性能； 硅片上沉积类金刚石膜（DLC）——甲烷、乙炔作工作气，表面光滑，最高硬度可达20.3GPa； 硅片上沉积氟化非晶碳膜——氟苯为工作气，提高抗腐蚀能力； 毫米尺寸的不锈钢管和镍管——乙炔为工作气。 展望： 层浅问题——制约其发展的障碍所在； 与其他镀膜方法如PVD、CVD等相结合，采用复合的注入与沉积技术； 设备——朝着多元化、大电流、高电压、高温、大体积、多功能化的方向发展 5.4 离子渗氮基本原理及工艺 5.4.1 目的： 氮元素渗入金属表层，从而改变金属表层的化学成分，使之具有高的耐磨性、疲劳强度、抗蚀能力及抗烧伤性等。 定义：在压力为10-3-10-2Torr的渗氮气氛中（N2-H2或NH3或纯N2），利用工件（阴极）和阳极间稀