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晶体二极管的伏安特性 二极管两端的电压u（单位为伏）与电流i（单位为安）之间的变化规律称为晶体二极管的伏安特性。通常用曲线来表示二极管的伏安特性，这条曲线称为伏安特性曲线。伏安特性曲线可以通过实验的方法得到，测试电路如下图1-3所示。 ? 图1-3 晶体二极管伏安特性测试 * 图1-4 晶体二极管伏安特性曲线 晶体二极管特性曲线 * 曲线分析 （1）正向特性 ① 只有当正向电压超过某一数值时，才有明显的正向电流，这个电压数值称为“门限电压”或“死区电压”用UT表示。对于硅管UT为0.6～0.8伏；对于锗管UT为0.2～0.3伏。一般情况下，从曲线近似直线部分作切线，切线与横坐标的交点即为UT。 ② 随着电压u的增加，电流i按照指数的规律增加，当电流较大时，电流随着电压的增加几乎直线上升。 ③ 不论硅管还是锗管，即使工作在最大允许电流，管子两端的电压降一般也不会超过1.5伏，这是晶体二极管的特殊结构所决定的。 * （2）反向特性 ①?反向电流很小。而且相同温度下，硅管比锗管的反向电流更小。 ②?反向击穿之前，反向电流基本不随反向电压的变化而变化，所以这个电流称为反向饱和电流。用IS表示。 ③?反向饱和电流随着温度的上升而按照指数的规律增长。 （