电阻转变型非挥发性存储器概述.pdfVIP

2011 年 第 56 卷 第 24 期： 1967 ~ 1973 《中国科学》杂志社 评 述 SCIENCE CHINA PRESS 电阻转变型非挥发性存储器概述 ①② ② ② ② ① ②* 李颖弢 , 龙世兵 , 吕杭炳 , 刘琦 , 刘肃 , 刘明 ① 兰州大学物理科学与技术学院, 兰州 730000; ② 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室, 北京 100029 * 联系人, E-mail: liuming@ 2011-01-17 收稿, 2011-07-13 接受 国家重点基础研究发展计划(2010CB934200, 2011CBA00602)和国家自然科学基金资助项目 摘要 随着材料科学以及半导体技术的高速发展, 电阻转变型存储器(RRAM)器件由于其 关键词 具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存储能力、低成本等优势, 引起 电阻转变存储器 了人们极大的兴趣并一度成为现阶