全控型电力电子器件讲义.pptVIP

第4章 全控型电力电子器件 本章要点 可关断晶闸管（GTO）的结构、工作原理、特性、参数；驱动和缓冲电路 电力晶体管（GTR）的结构、工作原理、特性、参数；驱动、保护和缓冲电路 功率场效应晶体管（P-MOSFET）的结构、工作原理、特性、参数；驱动、保护和缓冲电路 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的结构、工作原理、特性、参数；驱动和保护电路 4.1 门极可关断晶闸管（GTO）4.1.1 GTO的结构和工作原理 1、GTO的结构 GTO为四层PNPN结构、三端引出线（A、K、G）的器件。和晶闸管不同的是：GTO内部是由许多四层结构的小晶闸管并联而成，这些小晶闸管的门极和阴极并联在一起，成为GTO元，而普通晶闸管是独立元件结构。下图是GTO的结构示意图、等效电路及电气符号。 2、GTO的工作原理 （1）开通过程 GTO也可等效成两个晶体管P1N1P2和N1P2N2互连，GTO与晶闸管最大区别就是导通后回路增益α1+α2数值不同，其中α1和α2分别为P1N1P2和N1P2N2的共基极电流放大倍数。晶闸管的回路增益α1+α2常为1.15左右，而GTO的α1+α2非常接近1。因而GTO处于临界饱和状态。这为门极负脉冲关断阳极电流提供有利条件。 （2）关断过程 当GTO已处于导通状态时，对门极加负的关断脉冲，形成－IG，相当于将IC1的电流抽出，使晶体管N1P2N2的基极