CleanerEQ结构和原理(改)创新.ppt

May 2003 OLED Team HF EUV（Excimer UV） EUV（Excimer UV） Disk Brush Roll Brush MS（Mega Sonic） CJ（Cavitation Jet） BJ（Bubble Jet） Hyper Jet Hyper Mix Pre-depo Cleaner Unit Air Knife Ionizer Clean需监控的参数 Contect Angel 清洗不良造成的defect * OLED-Array * EUV:Excimer Ultra-Violet紫外光激发 AP：Air plasma电激发气体中的氢气和氧气，激发氢原子，氧原子。 金属离子：会造成低击穿场强、PN结漏电、Vt偏移、少子寿命降低。 pre-GI:出去poly表面的氧化层，平坦表明啊突起 pre-ILD: pre-M2:清洗ILD刻孔内的poly层，使M2与poly更好的连接 ashing:去除PR PLN ashing用于去除PLN残留，降低接触电阻。 QC：quality control质量控制 超声波在液体中疏密相间地向前辐射，使液体流动并产生数以万计的微小气泡。 这些微小气泡是在超声波纵向传播的负压区形成及生长（膨胀），而在正压区迅速闭合（爆炸）。 这种微小气泡的形成 生长及迅速闭合的现象称为空化效应.这种空化效应产生超过 1000 个大气压的瞬间高压，连续不断的瞬间高压就像一连串爆炸不断地轰击清洗工件表面，使被清洗物表面及缝隙中的污垢迅速剥离.通常低频具有较强的清洗能力，清洗较大的颗粒，但也容易损伤器件；高频适合清洗细小的颗粒，但对较大的颗粒不具有清洗能力 半导体常用的超声清洗频率为 40 kHz，80 kHz，100 kHz，兆声清洗通常频率在 400 kHz 以上，1 MHz 频率用于清洗 0.5um以下颗粒。 在精密清洗中，当一定频率的超声清洗后达不到清洁的效果时，如果工件上要去除的杂质颗粒较大，可能是超声功率不足，增加超声功率就可解决该问题；但如果工件上要去除的杂质颗粒非常小，那么无论功率怎么增大，都无法达到清洁的要求。从物理上分析其原因：当液体流过工件表面时，会形成一层粘性膜（指的是过渡层，过渡层是静止不动，屏蔽外面流体对固体表面的影响）。低频时该层粘性膜很厚，小颗粒埋藏在里面，无论超声的强度多大，空化气泡都无法与小颗粒接触，故无法把小颗粒除去；而当超声频率升高时，粘性膜的厚度就会减少，空化泡就可以接触到小颗粒，将它们从工件表面剥落。由此可见，低频的超声清除大颗粒杂质的效果很好，但清除小颗粒杂质效果很差。相对而言，高频超声对清除小颗粒杂质则特别有效。 部门 OLED-WET 编写 陈一帆 审核 日期 文件编号：A-B-*-000* Cleaner EQ结构和原理 常见污染物与清洗方法 常见污染物：颗粒（Particle）、有机物、金属、氧化物 清洗对象 目的 方法 Dry清洗 有机物污染 提高密着性 提高浸润性 Excimer UV / UV AP Plasma Wet清洗 无机物Particle 微小Glass划痕 有机物Particle 去除Particle 去除微小Glass划痕 超声波 高压Spray 纯水/air二流体Jet Brush 碱液洗剂 超声波 Clean原理 Particle残留在玻璃基板上，会造成膜层的许多Defect，例如线路的Open/Short，大的particle甚至会影响像素异常或者缺失，造成暗点。 Organic残留在玻璃基板上，会降低成膜的贴合性。 金属、氧化物残留在玻璃基板上，会造成膜层间的接触，影响器件特性，造成不良。 Cleaner要去除的对象：Particle、Organic、金属、氧化物 Unpacking出的玻璃附着大量的Particle和Organic。 Clean目的 氢氟酸： 是HF气体的水溶液。由于玻璃基板在搬送过程中暴露在空气中，容易在膜层上形成氧化膜，利用氢氟酸可以去除表面的氧化膜。 OLED制程中：pre-GI CLN, pre-ILD CLN, pre-M2 CLN三步有使用HF进行清洗。 安全： 氢氟酸易挥发易腐蚀，人体摄入1.5g以上HF气体会导致立即死亡。 浓度为30%以上的氢氟酸接触人体会立即有疼痛感和皮肤溃烂，并腐蚀人体骨骼。 身体任何部位接触低浓度氢氟酸，应当立即用清水冲洗，尤其是眼部和手指，并涂抹苏打水。 设备概念图 石英玻璃 EUV Lamp EUV的特点： 1. EUV发出的光线波长为172nm。 2.