模电半期总结03.docVIP

模电半期总结 半导体 半导体特性： 掺杂特性：掺入杂质后导电率增加几百倍——半导体器件 温度特性：温度增加是导电率大为增加——热敏器件 光照特性：光照不仅是导电率大为增加，还可以产生电动势——光敏器件，光电器件 本征半导体 完全纯净，结构完整 99.99999% 7N 外电场作用下，产生电流——电子流，空穴流 空穴浓度Pi=电子浓度ni 自由电子始终在导带内运动，空穴流与外电场方向相同，始终在价带内运动 当材料一定时，温度上升，载流子（自由电子，空穴）浓度上升 本征半导体的缺点： 空穴浓度=电子浓度（Pi= ni ） 载流子少，导电性差，温度稳定性差！！ 杂质半导体 P型半导体(Positive) P型=正型=空穴型，加IIIA族元素 空穴是多子，由杂质原子提供 自由电子是少子，由热激发产生 N型半导体(Negative) 自由电子是多子，空穴是少子 在杂质型半导体中，多子浓度比本征半导体的浓度大得多，而少子浓度比本征半导体的浓度小得多，但两者乘积保持不变，并等于ni2 。 二极管 PN结（高阻区，耗尽层） 1） PN结的形成 (1).两种半导体结合后，由于浓度差产生载流子的扩散运动→结果产生空间电荷区→耗尽层（多子运动）。 (2).空间电荷区产生→建立了内电场→产生载流子定向运动（漂移运动） 当扩散运动↑→内电场↑→漂移运动↑→扩散运动↓→动态平衡。 (3).扩散运动产生扩散电流；漂移运动产生漂移电流。 动态平衡时：扩散电流=漂移电流。PN结内总电流=0。PN结的宽度一定。 内电场的建立，使PN结中产生电位差。从而形成接触电位V?/导通电压UON /开启电压UT【决定于材料（主要因素）和掺杂浓度】 硅： V=0.7V 锗： V=0.2-0.3V 2）PN结的单向导电性 (1) PN结加正向电压时的导电情况 P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏； 外电场方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。 于是内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。 扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响 PN结呈现低阻性。 (2) PN结加反向电压时的导电情况 P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏； 外电场与PN结内电场方向相同，增强内电场。 内电场对多子扩散运动阻碍增强，扩散电流大大减小。 少子在内电场的作用下形成的漂移电流加大。 此时PN结区少子漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流。 PN结呈现高阻性 (3) PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 PN结=空间电荷区=耗尽层=阻挡层=势垒层=内电场=电阻 3)PN结电流方程【重点】 （由半导体物理得出） Is (反向饱和电流; UT = kT/q (温度电压当量。 k(波尔兹曼常数（1.38×10-23J/K)； T=300k（室温）时 UT= 26mv（很重要） 当加正向电压时：(UUT) 当加反向电压时：(UT-U) 二极管 二极管的模型 理想开关模型 (用于UON外加电压） 正偏时正向电压 = 0，反偏时反向电流 = 0 恒压源模型（用于UON和外加电压可比拟时5-10倍） 相当于一个理想二极管和一个恒压源串联，注意方向。 结论：二极管反偏或正偏电压小于导通电压UON时，二极管截止，电流为零；正偏电压大于导通电压UON时，二极管导通，二极管的端电压不随电流变化 → 为UON恒压特性。 折线近似模型（对恒压源模型的修正） 更准确，但不是最常用模型（详见P18） 二极管的交流小信号模型(用于工作在二极管伏安特性近似线性的正偏区域时） → 工作点Q处的交流电阻rd 2） 晶体二极管的电阻 晶体二极管的电阻为非线性电阻：用静态电阻和动态电阻描述 直流电阻 定义为：RD=UD/ID; tg(= ID/ UD=1/R 正向电压时： (1).OQ斜率的倒数是正向电阻R。 (2).R与Q有关，Q不同,R也不同。 反向电压时：I很小，R