13C-V特性MOS管原理解读.pptVIP

半导体物理与器件 西安电子科技大学 XIDIDIAN UNIVERSITY 张丽 第11章 MOSFET基础1.2 C-V特性　1.3MOS管原理 理想MOS电容的CV特性 氧化层电荷对CV特性影响 界面态概念及对CV特性影响 1.2 C-V特性 需掌握内容 理想情况CV特性 CV特性概念和CV特性测试原理 MOS电容在不同半导体表面状态下的特点和公式 频率特性 高低频情况图形及解释 思考：若直流电压变化快，CV曲线如何？ 非理想CV曲线 氧化层电荷对CV特性影响 界面态产生、分类及对CV特性影响 1.3 MOSFET原理 本节内容 MOSFET基本结构 电流电压关系——概念 电流电压关系——推导 跨导和沟道电导 衬底偏置效应 1.3 MOSFET原理 MOSFET分类(4) 按载流子类型分： NMOS；PMOS: 按导通类型分： 增强型；耗尽型： 四种MOS晶体管： N沟增强型；N沟耗尽型；P沟增强型；P沟耗尽型 1.3 MOSFET原理 需掌握内容 MOSFET基本结构、种类、横截面图、符号图 MOSFET基本工作原理 电流电压关系——定性物理过程 输出特性曲线四个区的划分 转移特性曲线三个区的划分 沟道中的电流是由漂移而非扩散产生的 栅氧化层中无电流 缓变沟道近似（长沟器件），即垂直于沟道方向上的电场变化远大于平行于沟道方向上的电场变化，EX为常数 氧化层中的所有电荷均可等效为Si-SiO2界面处的有效电荷密度QSS` 沟道中的载流子迁移率与空间座标无关 衬底与源极之间的电压为零 忽略SD区体电阻和金属电极间的接触电阻，VDS完全降在沟道上。 1.3 MOSFET原理 需掌握内容 电流电压关系—推导 理解缓变沟道近似 线性区和饱和区IV关系的推导 跨导定义、公式和影响因素 沟道电导定义、公式和影响因素 1.3 MOSFET原理 背栅定义 衬底能起到栅极的作用，称“背栅” VBS改变了耗尽层和反型沟道层的电荷分配之比，从而控制了IDS。 1.3 MOSFET原理 衬底跨导 衬底跨导gmb：VGS和VDS为常数时，ID随VBS的变化率 1.3 MOSFET原理 需掌握内容 衬底偏置效应的电位连接 P衬最低电位，n管阈值上升 N衬最高电位，p管阈值更负 衬底偏置效应对MOSFET的影响和物理过程 衬底“背栅”定义和物理过程 END 1.3 MOSFET原理 跨导影响因素 Ⅰ.VGS较小：β与VGS无关，gms ∝VGS Ⅱ.VGS较大：VGS↑=表面散射↑=μ↓=β↓；gms随VGS↑而↑变缓 Ⅲ.VGS为一较大值： β ∝ μ ∝ 1/(VGS-VT), gms随VGS↑达到最大 IV.VGS很大： gms随VGS↑而↓ VGS↑=表面散射↑=μ↓=β↓ 1.3 MOSFET原理 跨导影响因素:RS、RD的影响 Rs对MOS管跨导影响 Rs降低了跨导（晶体管增益），而且Rs越大，降低程度越大 Rs=0,VGS`=VGS; Rs不等于0,VGS`=VGS-ID*RS; 1.3 MOSFET原理 跨导:提高途径 材料参数 设计参数 工艺参数 在工作电压范围内，适当提高器件偏置电压VGS 降低串联电阻RS 1.3 MOSFET原理 （沟道电导）漏导:模型 沟道电导（漏导）：VGS一定时，漏电流随漏源电压的变化率 表明线性区导通能力（导通电阻） 器件开关应用时，一般工作在线性区。原因？ 1.3 MOSFET原理 漏导:影响因素 RS，RD：SD电极间电阻增加，电导下降 增加线性区沟道电导的途径？ 非饱和区漏导等于饱和区跨导 Rs=0, RD=0，VDS`=VDS Rs, RD不等于0,VDS`=VDS-ID*(RS+RD) 1.3 MOSFET原理 衬底偏置效应(1) ≥0 必须反偏或零偏 Vsb=Vs-Vb0,即Vb更负