CCD与CMOS的比较解读.pptVIP

CMOS图像传感器 2013-12 西南交大光电所 结构、工作原理 关键技术 发展现状 性能及应用比较 vs CCD 发展趋势 结构、工作原理 Complementary Metal-Oxide Semiconductor 互补型金属氧化物半导体 关键技术 片上消除噪声技术 全像素电荷转移技术 片上模拟处理技术 抑制暗电流技术 提高填充系数 提高动态范围 低压驱动掩埋光电二极管 发展现状 国外部分CMOS 图像传感器产品 国内情况 西安交大、重庆大学、中国科学院微电子研究中心、北京思比科微电子公司、北京中星科技、联想集团、台湾宜霖科技、台湾联华电子等单位都开展CMOS 图像传感器的设计、研制和应用开发等工作，并取得了较大的进展。 国内大部分厂商由于缺乏核心技术，即使投入资金再大也无法摆脱组装加工的地位。 加大VLSI工艺的研发力度，优化CMOS 图像传感器的电路设计，缩短与发达国家的差距刻不容缓。 CMOS Image Sensor Revenue Forecast by Market 性能比较 CMOS vs CCD 采集和处理速度 驱动电压 集成度 灵敏度 动态范围 噪声 暗电流 成像质量 功耗 价格 体积 实际成像对