第一章集成电路制造工艺祥解.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * §1.2 MOS集成电路工艺（N阱硅栅CMOS工艺）(P9~11)参考P阱硅栅CMOS工艺 * 思考题 1.需要几块光刻掩膜版？各自的作用是什么？ 2.什么是局部氧化（LOCOS ) ？  （Local Oxidation of Silicon) 3.什么是硅栅自对准(Self Aligned )？ 4. N阱的作用是什么？ 5. NMOS和PMOS的源漏如何形成的？ 6.衬底电极如何向外引接？ * 1.2.1 MOS IC 主要工艺流程 1.衬底准备 P+/P外延片 P型单晶片 * P-Sub 1.2.1 MOS IC主要工艺流程 2. 氧化、光刻N-阱(nwell) * 1.2.1 MOS IC 主要工艺流程 3. N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面 N阱 P-Sub * P-Sub N阱 1.2.1 MOS IC 主要工艺流程 4. 长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版) * P-Sub 1.2.1 MOS IC主要工艺流程 5.场区氧化（LOCOS）, 清洁表面 (场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入） * P-Sub 1.2.1 MOS IC主要工艺流程6. 栅氧化,淀积多晶硅，多晶硅N+掺杂，反刻多晶 （polysilicon—poly) * 1.2.1 MOS IC主要工艺流程 7. P+ active注入（Pplus）（ 硅栅自对准） P-Sub P-Sub P-Sub * 1.2.1 MOS IC主要工艺流程 8. N+ active注入（Nplus —Pplus反版）  （ 硅栅自对准） P-Sub P-Sub P-Sub * 1.2.1 MOS IC主要工艺流程 9. 淀积BPSG，光刻接触孔(contact)，回流 P-Sub P-Sub * 1.2.1 MOS IC主要工艺流程 10. 蒸镀金属1，反刻金属1（metal1) P-Sub * 1.2.1 MOS IC主要工艺流程 11. 绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔(via) P-Sub P-Sub * 1.2.1 MOS IC 主要工艺流程 12. 蒸镀金属2，反刻金属2（metal2) P-Sub * 1.2.1 MOS IC 主要工艺流程13. 钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔(pad) P-Sub * 1.2.2 MOS IC光刻掩膜版简图汇总 N阱 ?有源区 ?多晶 ?Pplus ?Nplus ?引线孔 ?金属1 ?通孔 ?金属2 ?钝化 * 1.2.3 MOS IC 局部氧化的作用 2. 减缓表面台阶 3. 减小表面漏电流 P-Sub N-阱 1. 提高场区阈值电压 * 1.2.4 MOS IC 硅栅自对准的作用 在硅栅形成后，利用硅栅的遮蔽作用来形成MOS管的沟道区，使MOS管的沟道尺寸更精确，寄生电容更小。 P-Sub N-阱 * 1.2.5 MOS管衬底电极的引出 NMOS管和PMOS管的衬底电极都从上表面引出，由于P-Sub和N阱的参杂浓度都较低，为了避免整流接触，电极引出处必须有浓参杂区。 P-Sub N-阱 * 1.2.6 其它MOS工艺简介 双层多晶：易做多晶电容、多晶电阻、叠栅MOS器件，适合CMOS数/模混合电路、EEPROM等 多层金属：便于布线，连线短，连线占面积小，适合大规模、高速CMOS电路 P阱CMOS工艺，双阱CMOS工艺 E/D NMOS工艺 * 1.2.7 习题 1.阐述N阱硅栅CMOS集成电路制造工艺的主要流程，说明流程中需要哪些光刻掩膜版及其作用。 2. NMOS管源漏区的形成需要哪些光刻掩膜版。 * §1.3 BI CMOS工艺简介 双极型工艺与MOS工艺相结合，双极型器件与MOS型器件共存，适合模拟和数/模混合电路。 (P9~11) * 1.3.1以CMOS工艺为基础的BI-MOS工艺 P+ P+ N+ N+ N+ N+ P N-well N-well P-Sub P+ P+ N+ N+ N+ N+ P N-well N-well P+-Sub N+-BL N+-BL P--epi * 1.3.2以双极型工艺为基础的BI-MOS工艺 P N+ N+ N+ P P+-Sub N+-BL N+-BL N--epi P+ P N+ N--epi P--Well N-