第三章1半导体中载流子的统计分布祥解.ppt

数学处理上带来了很大的方便，（3-16）可改写： Nc? T3/2是一很重要的量，称为导带的有效状态密度，是温度的函数。 意义： 系统处于热平衡状态，不对外界做功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势，也就是等于系统的费米能级 处于热平衡状态的系统有统一的化学势！ 处于热平衡状态的电子系统有统一费米能级！ 费米分布函数f（E）特性分析： 当T=0K时： 若E<EF，则f(E)=1， 若E>EF，则f(E)=0。 热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率是100%，因而这些量子态上都是有电子的； 能量比EF大量子态上都没有电子，是空的。 ∴在热力学温度零度时，费米能级EF可看成量子态是否被电子占据的一个界限。 当T>0K时： 若E<EF，则f(E)>1/2 若 E=EF，则f(E)=1/2 若E>EF，则f(E)<1/2。 系统热力学温度> 0时，如量子态的能量比费米能级低，则该量子态被电子占据的概率>50%； 量子态的能量比费米能级高，则该量子态被电子占据的概率<50%。 量子态的能量等于费米能级时，则该量子态被电子占据的概率是50%。 标志----费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上是空的 费米能级位置直观地标志了电子占据量子态情况. 费米能级标志了电子填充能级的水平 对一系统而言, EF位置较高，有较多的能量较高的量子态上有电子。 EF 的意义： 图给出的300K、1000K，1500K时f(E)与E的曲线，从图中看出，随着温度的升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的概率下降，而占据能量大于费米能级的量子的概率增大。 费米能级EF 强p型 弱p型 弱n型 强n型 本征型 EC EV EI 回 顾 1、 k空间中量子态的分布 k空间中，电子的允许量子态密度是 2、状态密度 3、载流子的统计分布 4、费米能级EF 系统热力学温度> 0时，如量子态的能量比费米能级低，则该量子态被电子占据的概率>50%； 量子态的能量比费米能级高，则该量子态被电子占据的概率<50%。 量子态的能量等于费米能级时，则该量子态被电子占据的概率是50%。 费米能级位置直观地标志了电子占据量子态情况. 费米能级标志了电子填充能级的水平 对一系统而言, EF位置较高，有较多的能量较高的量子态上有电子。 EF 的意义： 图给出的300K、1000K，1500K时f(E)与E的曲线，从图中看出，随着温度的升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的概率下降，而占据能量大于费米能级的量子的概率增大。 费米能级EF 强p型 弱p型 弱n型 强n型 本征型 EC EV EI 电子的费米分布函数 E-EF》k0T时 3.2.2 玻尔兹曼分布函数 显然,在一定温度T，电子占据E的概率由 e-E/k0T定-----玻耳兹曼统计分布函数 fB(E)称为电子的玻耳兹曼分布函数 我们讨论f（E） ： f（E）表能量为E的量子态被电子占据的概率 1-f（E）必然表示能量为E的量子态不被电子占据的概率，表量子态空（被空穴占据）的概率。 当（EF-E）》k0T时， 空穴的费米分布函数 空穴的玻尔 兹曼分布函数 表明当E远低于EF时，空穴占据能量为E的量子态的概率很小，即这些量子态几乎都被子电子所占据了。 半导体材料中，EF位于禁带内，一般 Ec –EF 》k0T EF –Ev 半导体导带中的电子分布可以用电子的玻耳兹分布函数描写。 EF Ec Ev 对导带中的所有量子态，E–Ec>0,被电子占据的概率，一般都满足f(E)《1， E增大，f(E)减小，导带中绝大多数电子分布在导带底附近 Ec Ev 价带中的空穴分布服从玻耳兹曼分布函数。 价带中的量子态，被空穴占据的概率，一般满足1-f(E)《1。 E增大，1-f（E）增大，价带中绝大多数空穴集中分布在价带顶附近。 EC EV EF 服从玻耳兹曼统计律的电子系统-----非简并性系统 服从费米统计律的电子系统-----------简并性系统 3.2.3 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 计算半导体中的载流子浓度。 状态密度为gc(E)，E处参量E～(E+dE）之间有dZ=gc(E)dE个量子态，而电子占据能量为E的量子态的概率是f（E），则在E～（E+dE）间有 f(E)gc(E)dE个电子。 从导带底到导带顶对f(E)gc(E)dE进行积分，就得到了能带中的电子总数，再除以半导