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第二章 双极型逻辑集成电路 § 2.1 双极型IC的寄生效应 2.1.1 集成npn的结构与寄生效应 § 2.2 TTL电路的结构特点及工作原理 2.2.1 标准TTL电路 2.2.2 抗饱和TTL电路 – S/LSTTL § 2.3 ECL电路 2.3.1 ECL的原理门电路 2.3.2 典型的ECL门电路 本章重点 1、双极集成电路的寄生效应 2、TTL、S/LSTTL、AS/ALSTTL、ECL电路的电路结构，工作原理和特点的分析与比较。 § 2.1 双极型IC的寄生效应 2.1.1 集成npn的结构与寄生效应 一、集成npn管的有源寄生效应 二、集成npn管的无源寄生效应 三、抑制无源寄生效应的措施 § 2.2 TTL电路的结构特点及工作原理 2.2.1 标准TTL电路 2.2.2 抗饱和TTL电路 – S/LSTTL 1、SBD (Schottky-Barrier-Diode)和肖特基箝位晶体管 2、STTL电路 3、LSTTL电路 4、AS/ALSTTL电路 § 2.3 ECL电路 2.2.1 ECL的原理门电路 2.3.2 典型的ECL门电路 1、电路结构 实际上是单端输入-双端输出的差分放大器。注意： ? T2基极接固定偏置-1.3V，称为定偏晶体管。 ? ECL电路采用负电源电压系统，当电源干扰由发射极进入 电路，因是共模信号，受到差分对抑制；若采用正电源供 电，则干扰将通过集电极直接传出，降低了噪声容限。 a. 输入低电平 VI=VOL=-1.7VVBB=-1.3V ? T1截止，T2优先导通。则流经T2的电流： 而 IC2= ?IE2 ? 4mA ? ? VC2=VCC-IC2RC2=-0.98V 而 VC1=VCC-IC1RC1=0V 输出低电平VC2=-0.98V 输出高电平VC1=0V 此时，由 VBC2=-1.3-(-0.98)=-0.32V0 可知，T2处于线性放大区。 b. 输入高电平 VI=VOH=-0.9V-1.3V ?T2截止，T1优先导通，则 VC1=VCC-IC1RC1=-0.97V 而 VC2=VCC-IC2RC2=0V 输出低电平VC1=-0.97V 输出高电平VC2=0V 可见，欲使VC1、VC2输出低电平相同，须保证： IC1RC1=IC2RC2 对于T1管而言，此时，VBC1=-0.9-(-0.98)=0.08，BC结略显正偏，可以认为T1管处于线性放大区边缘，未进入饱和区。 注意：ECL原理门之间不能直接耦合连接，因为 VOH=0V ? 下一级VB=0 而VC0 VBC0，进入饱和区， 失去高速特性 加射随器作输出级，实现电平位移。 图2.11 典型的ECL门电路 (a)ECL门电路的结构 (b)逻辑图及逻辑表达式 *王向展 集成电路原理与设计 双极型逻辑IC的分类 根据电路工作在输出特性曲线的不同区域，可分为饱和型和非饱和型两大类。 饱和型逻辑IC ——以关态对应截止态，以开态对应饱和态而工作的双极型逻辑IC。 特点： 输出电平稳定 逻辑摆幅大 电路结构简单 功耗较低 使用方便 由于少子在饱和区存在基区存贮效应，使得开关速度下降 主要包括： 电阻-晶体管逻辑RTL 1961 二极管-晶体管逻辑DTL、HTL 1962 晶体管-晶体管逻辑TTL 1962 集成注入逻辑I2L 1972 抗饱和逻辑： 肖特基二极管箝位TTL （STTL） 1969 低功耗STTL （LSTTL） 1971 先进LSTTL/STTL （ALSTTL/ASTTL） 1979 发射极功能逻辑EFL 非饱和型逻辑IC ——关态对应于截止态，而开态对应于线性放大区。 特点： 无少子存贮效应，工作速度快 电路结构复杂 逻辑摆幅小 功耗较大 主要包括 发射极耦合逻辑ECL 互补晶体管逻辑CTL 非阈值逻辑NTL 多元逻辑DYL 图2.1 集成npn晶体管的结构特点和有源寄生效应 寄生pnp管处于放大区的三个条件： (1) E