2电力电子器件-电力电子技术--裴云庆.pptVIP

2.4.2 电力晶体管 ■GTR的二次击穿现象与安全工作区 ◆当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流迅速增大， 这种首先出现的击穿是雪崩击穿，被称为一次击穿。 ◆发现一次击穿发生时如不有效地限制电流，Ic增大到某个临界点时 会突然急剧上升，同时伴随着电压的陡然下降，这种现象称为二次击 穿。 ◆出现一次击穿后，GTR一般不会损坏，二次击穿常常立即导致器 件的永久损坏，或者工作特性明显衰变，因而对GTR危害极大。 SOA O I c I cM P SB P cM U ce U ceM 图2-19 GTR的安全工作区 二次击穿功率 ◆安全工作区（Safe Operating Area——SOA） ?将不同基极电流下二次击穿的临界点 连接起来，就构成了二次击穿临界线。 ?GTR工作时不仅不能超过最高电压 UceM，集电极最大电流IcM和最大耗散功 率PcM，也不能超过二次击穿临界线。 */89 2.4.3 电力场效应晶体管 ■分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中 的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简 称电力MOSFET（Power MOSFET）。 ■电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，它的特点有： ◆驱动电路简单，需要的驱