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电子技术 第1章 半导体器件基础 一、物质分类(按导电性) 一、物质分类(按导电性) 本征半导体有关概念、特点 本征半导体有关概念、特点 问题 本征半导体中空穴数量多?电子数量多? 本征半导体带正电?带负电? 当需要获得不随温度变化的基准电压时,可以将一只齐纳击穿二极管和一只雪崩击穿二极管串联起来,只要选材适当,可以使这两个二极管的总电压在相当大的温度变化范围内维持稳定。 授课结束二34节 半导体二极管的型号 中国国家标准:半导体器件型号命名举例: 2 A P 9 用数字代表同类型器件的不同型号 用字母代表器件的类型,P代表普通管 用字母代表器件的材料,A代表N型Ge B代表P型Ge,C代表N型Si,D代表P型Si 2代表二极管,3代表三极管 4.变容二极管 §1.3 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 电流分配: IE=IB+IC IE-扩散运动形成的电流 IB-复合运动形成的电流 IC-漂移运动形成的电流 一、晶体管的结构和符号 授课:0326周二34节 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 2. 输出特性曲线 如何放大? 2. 输出特性曲线 2. 输出特性 2. 输出特性曲线 2. 输出特性 晶体管的三个工作区域 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 讨论一 补充:判断三极管工作状态的三种方法。 讨论二:利用Multisim测试晶体管的输出特性 讨论三 利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。 三极管授课结束 授课结束 补充:判断三极管工作状态的三种方法。 重点掌握电位判定方法和结偏置判定方法。辅以课后练习。 重点掌握电位判定方法和结偏置判定方法。辅以课后练习。 本节内容要求学生一般了解,较难。 O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V –2 V uGS = 2 V 0 V – 2 V – 5 V N 沟道结型 S G D iD S G D iD P 沟道结型 uGS /V iD /mA 5 – 5 O IDSS VP O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V uGS = 0 V – 2 V – 5 V 2. 场效应管的主要参数 (1)开启电压 VT(增强型) 夹断电压 VP(耗尽型) 指 uDS = 某值,使漏极 电流 iD 为某一小电流时 的 uGS 值。 VT VP (2) 饱和漏极电流 IDSS 耗尽型场效应管,当 uGS = 0 时所对应的漏极电流。 IDSS uGS /V iD /mA O UGS(th) UGS(off) (3) 直流输入电阻 RGS 指漏源间短路时,栅、源间加 反向电压呈现的直流电阻。 JFET:RGS 107 ? MOSFET:RGS = 109 ? 1015?? IDSS uGS /V iD /mA O (4)低频跨导 gm 反映了uGS 对 iD 的控制能力, 单位 S(西门子)。一般为几毫西 (mS) uGS /V iD /mA Q O PDM = uDS iD,受温度限制。 (5) 漏源动态电阻 rds 6. 最大漏极功耗 PDM 一、两种半导体和两种载流子 两种载流 子的运动 电子 — 自由电子 空穴 — 价电子 两 种 半导体 N 型 (多电子) P 型 (多空穴) 二、二极管 1. 特性 — 单向导电 正向电阻小(理想为 0),反向电阻大(?)。 第2章 小 结 iD O uD U (BR) I F URM 2. 主要参数 正向 — 最大平均电流 IF 反向 — 最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿) 反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响) IS 3. 二极管的等效模型 理想模型 (大信号状态采用) uD iD 正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合 反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开 恒压降模型 UD(on) 正偏电压 ? UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on) 否则截止,相当于二极管支路断开 UD(on) = (0.6 ? 0.8) V 估算时取 0.7 V 硅管: 锗管: (0.2 ? 0.4) V 0.3 V 折线近似模型 相当于有内阻的恒压源 UD(on) 4.
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