第三章光源和光发送机分析报告.pptVIP

第三章 光源和光发射机 本章重点 （1）掌握光与物质的相互作用的三种基本过程； （2）构成激光器的必须具备的条件；半导体激光器的工作特性； （3）掌握发光二极管LED的工作特性 （4）光发射机的基本组成及功能 （5）光源的调制方式 （6）光纤线路码型的种类 本章内容提要 3.1 半导体光源 3.2 光源调制 3.3 光发射机 3.1 半导体光源3.1.1 半导体光源基础知识 半导体能带 光与物质相互作用的三种基本方式 粒子数反转分布 PN结 一 半导体能带 1、原子能级 围绕原子核旋转的电子只能沿着某些可能的轨道运转，这些轨道不连续，每一个轨道具有确定的能量，这些离散的能量值称为原子的能级。 2、晶体的能带 由大量原子相互靠近形成晶体时，由于内部电子共有化运动，使离散的原子能级组成有一定宽度的带，称为能带。内层电子态之间的交叠小，原子间影响弱，分成的能带比较窄，外层电子态之间的交叠大，分成的能带比较宽。 3 在半导体中的能带： 　 价带（valence band）:形成共价键的价电子所占据的能带称为价带。较低的能量 　满带：价带下面的能带是被电子占满了，称为满带。 导带（conduction band）:价带上面邻近的空带（自由电子占据的能带）称为导带。 　导带和价带通过禁带（energy gap）来分开，电子可以在价带或者导带所对应的轨道上活动，但决不能在它们之间－－禁带上活动。 　 二 光与物质相互作用的三种基本方式 自发辐射——无外界激励而高能级电子自发跃迁到低能级，同时释放出光子。 受激辐射——高能级电子受到外来光作用，被迫跃迁到低能级，同时释放出光子，且产生的新光子与外来激励光子同频同方向，为相干光。 受激吸收——低能级电子在外来光作用下吸收光能量而跃迁到高能级。 能级与电子跃迁示意图 光辐射与能带 三 粒子数反转分布 设在单位物质中低能级电子数和高能级电子数分别为N1和N2 物质在正常状态下N1＞N2，此时光通过该物质时，光强会衰减，物质为吸收物质。 若N2＞N1，受激吸收小于受激辐射，光通过该物质时，光强会放大，该物质成为激活物质。N2＞N1的分布与正常状态相反，故称为粒子数反转分布。 四 PN结1、N型材料和P型半导体 N型半导体：如果掺入的是V族元素，在核外电可子有　5个，其中四个与Si形成共价键，余下一个电子以用来传导电流，由于这种材料是由电子来导电的称为N型材料。 P型半导体：如果掺入的是III族元素，在核外电子有　3个，其中三个与Si形成共价键，余下一个空穴用来传导电流，由于这种材料是由空穴流动来导电的称为P型材料 2 p-n结的形成 　当P型半导体和N型半导体形成PN结时，载流子的浓度差引起扩散运动，P区的空穴向N区扩散，剩下带负电的电离受主，从而在靠近PN结界面的区域形成一个带负电的区域。同样，N区的电子向P区扩散，剩下带正电的电离施主，从而造成一个带正电的区域。载流子扩散运动的结果形成了一个空间电荷区，称为PN结。 　 3增益区的形成 对于兼并型P型半导体和兼并型N型半导体形成的PN结，当注入电流(或正向电压)加大到某一值后，准费米能级EfC和EfV的能量间隔大于禁带宽度， PN结里出现一个增益区(也叫有源区)。 实现了粒子数反转。这个区域对光子能量满足 Eg＜hν＜e0V 的光子有光放大作用。半导体激光器的辐射就发生在这个区域。 　 3.1　半导体光源3.1.2 光源的种类、要求及发射波长 一、光纤通信常用光源的种类： 半导体激光器（LD) 应用于高速率、远距离 发光二极管（LED) 应用于低速率、短距离 光源发出的波长与光纤所使用的低窗口相符合； 有足够高、稳定的输出功率； 电光转换效率高，驱动功率低，寿命长； 单色性好； 响应速度快； 强度噪声小； 　 三、光源的发射波长 材料带隙的大小决定着光源的发射光波的波长 3.1.3 半导体激光器 一 半导体激光器输出激光的必要条件和模式 二 半导体激光器的结构 三 半导体激光器的工作特性 四 单纵模激光器 一、半导体激光器输出激光的必要条件和模式 1、LD输出激光的必要条件 粒子数反转分布（激活物质） 光学谐振腔(光反馈) 激光振荡的阈值条件  光学谐振腔 光学谐振腔——由两个反射率分别为R1和R2的平行反射镜构成。腔内物质具备粒子数反转分布，可用其产生的自发辐射光作入射光，经反射镜反射沿轴线方向传播的光被放大，沿非轴线方向传播的光被减弱，反射光经反射镜多次反射不断被放大，方向性不断改善，使增益大幅度提高。 正反馈： 激光振荡阈值条件