第六章化学气相沉积-1资料.ppt

第六章 化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD） 一、 化学气相沉积原理 化学气相沉积是把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物的单质气体供给基片，利用加热、等离子体、紫外光乃至激光等能源，借助气体相作用或在基片表面的化学反应生成要求的薄膜。 这种化学制膜方法完全不同于磁控溅射和真空蒸发等物理气相沉积法（PVD），后者是利用蒸镀材料或溅射材料来制备薄膜的。 最近出现了兼备化学气相沉积和物理气相沉积特性的薄膜制备方法如等离子体气相沉积法等。 表2.4 CVD和PVD方法的比较 这种反应发生在基片表面上，反应气体和基片材料发生化学反应生成薄膜。典型的反应是钨的氟化物与硅。在硅表面上如下反应，钨被硅置换，沉积在硅片上，这时如有氢存在，反应也包含有被氢还原： 五、 CVD的主要分类 CVD技术可按照沉积温度、反应器内的压力、反应器壁的温度和沉积反应的激活方式进行分类。 （1）按沉积温度可分为低温（200~500℃）、中温（500~1000℃）和高温（1000~1300℃）CVD。 （2）按反应器内的压力可分为常压CVD和低压CVD。 （3）按反应器壁的温度可分为热壁方式和冷壁方式CVD。 （4）按反应激活方式可分为热激活和等离子体激活CVD等。 开管系统一般由反应器、气体净化系统、气体计量控制、排气系统及尾气处理等几部分组成。 其主要特点是能连续地供气和排气，整个沉积过程气相副产物不断被排出，有利于沉积薄膜的形成；而且工艺易于控制，成膜厚度均匀，重现性好，工件容易取放，同一装置可反复使用。 开管法通常在常压下进行，但也可在真空下进行。 （1）源物质的确定 CVD最理想的源物质是气态源物质，其流量调节方便测量准确，又无需控制其温度，可使沉积系统大为简化。所以，只要条件允许，总是优先采用气态源。 在没有合适气态源的情况下，可采用高蒸气压的液态物质。如AsCl3、PCl3、SiCl4等，用载气体（如H2、He、Ar）流过液体表面或在液体内部鼓泡，携带其饱和蒸气进入反应系统。 在既无合适的气态源又无具有较高蒸气压的液态源的情况下，就只得采用固体或低蒸气压的液体为源物质了，通常是选择合适的气态物质与之发生气-固或气-液反应，形成适当的气态组分向沉积区输送。 （2）重要的工艺参数 CVD中影响薄膜质量的主要工艺参数有反应气体组成、工作气压、基板温度、气体流量及原料气体的纯度等。其中温度是最重要的影响因素。 由于不同反应体系沉积机制不同，沉积温度对不同沉积反应影响的程度是不同的。而对于同一反应体系，不同的沉积温度将决定沉积材料是单晶、多晶、无定形物，甚至不发生沉积。一般说来，沉积温度的升高对表面过程的影响更为显著。 ?封闭式（闭管沉积系统）CVD 闭管法的优点： 闭管反应器使源物质端处于高温区，生长端位于低温区，在精确控制的温度范围内进行化学输运反应沉积。 反应物与生成物被污染的机会少，不必连续抽气可保持反应器内的真空，可以沉积蒸气压高的物质。 六、CVD方法简介 ?封闭式（闭管沉积系统）CVD 闭管法的缺点：材料生长速率慢，不适合大批量生长，反应管（一般为高纯石英管）只能使用一次；管内压力检测困难等，参数控制不当易产生危险。 闭管法的关键环节：反应器材料选择、装料压力计算、温度选择和控制等。 六、CVD方法简介 LPCVD原理 早期CVD 技术以开管系统为主， 即Atmosphere Pressure CVD (APCVD)。 近年来，CVD技术令人注目的新发展是低压CVD技术，即Low Pressure CVD（LPCVD）。 LPCVD原理与APCVD基本相同，主要差别是： 低压下气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加。 七、低压化学气相沉积（LPCVD） LPCVD装置 七、低压化学气相沉积（LPCVD） LPCVD优点 （1）低气压下气态分子的平均自由程增大，反应装置内可以快速达到浓度均一，消除了由气相浓度梯度带来的薄膜不均匀性。 （2）薄膜质量高：薄膜台阶覆盖良好；结构完整性好；针孔较少。 （3）沉积过程主要由表面反应速率控制，对温度变化极为敏感， 所以，LPCVD技术主要控制温度变量。LPCVD工艺重复性优于普通的常压CVD。 （4）卧式LPCVD装片密度高，生产成本低。 七、低压化学气相沉积（LPCVD） LPCVD在微电子学中的应用 广泛用于沉积掺杂或不掺杂的氧化硅、氮化硅、多晶硅、硅化物等薄膜，以及钨、钼、钽、钛等难熔金属薄膜。 七、低压化学气相沉积（LPCVD） ?等离子化学气相沉积 在普通CVD技术中，产生沉积反应所需要的能量是各种方式加热衬底和反