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AB型离子晶体离子半径比与晶体构型的对应关系 r+/r- 阳离子配位数 阴离子多面体 构型 0.225~0.414 4 正四面体 ZnS型 0.414~0.732 6 正八面体 NaCl型 0.732~1.00 8 立方体 CsCl型 例:推测LiF,TlCl,ZnSe晶体的结构类型 LiF:r+/r-=60pm/136pm=0.44 NaCI型 TlCl: r+/r-=147pm/181pm=0.81 CsCl型 ZnSe: r+/r-=74pm/198pm=0.44 ZnS型 离子半径比定则: 同质多晶现象: 化学组成相同而有不同晶体构型的现象。 §3-6 分子晶体与原子晶体 晶体类型 分子晶体 原子晶体 定义 靠分子间(氢键)结合而成的晶体 靠共价键结合而成的晶体 结点粒子 分子 原子 物理性质 熔沸点低,硬度小,不导电 熔沸点高,硬度大,不导电 举例 CO2(s), NH3(s), PH3(s) Si, SiO2, B, SiC, 金刚石 金刚石 六方紧堆晶格 面心立方紧堆晶格 体心立方晶格 §3-7 离子极化 一、离子极化的概念 1. 离子极化 当离子置于电场中,离子的原子核就会受到正电场的排斥和负电场的吸引,而离子中的电子则会受到正电场的吸引和负电场的排斥,其结果离子就会发生变形而产生诱导偶极。这种过程称为离子的极化。 离子的变形可以近似理解为离子最外层电子云的变形。 问题:离子晶体中阴、阳离子间会发生极化吗? 离子晶体中,阳离子的电场使阴离子发生极化,即阳离子吸引电子云引起阴离子变形。 阴离子的电场使阳离子发生极化,即阴离子排斥阳离子的电子云而引起阳离子变形。 离子极化的强弱决定于: 1.离子的极化力; 2. 离子的变形性。 2. 离子的极化力 离子的极化力是指使另外离子极化的能力。其影响因素有:离子电荷、离子半径和离子电子构型。其规律: 电荷越多,极化力越强(半径相近,电子构型相同) 如:极化力大小为: Al3+Mg2+Na+ 半径越小, 极化力越强 (电荷相同,电子构型相同) 如:Mg2+的极化力Ba2+的极化力 离子电荷构型的影响为18, 18+2, 2电子构型9-17电子构型8电子构型 (半径相近、 电荷相同) (即有效正电荷的顺序) 3. 离子的变形性 离子的变形性是指离子在电场作用下,某外层电子与核会发生相对位移。 影响因素主要有:离子电荷、离子半径和离子电子构型。其规律: 离子半径越大,离子的变形性越大(阴离子); 离子的电荷的代数值越小,其变形性越大(阴离子)。 电子构型的影响(阳离子) 18, 18+2, 9-17 电子构型 8电子构型2电子构型 4. 离子极化的一般规律 对于8,2电子构型的阳离子考虑其极化力(因其变形性弱) 对18,18+2,9-17电子构型的阳离子,除要考虑其极化力,还要考虑其变形性。 对阴离子一般考虑其变形性。 思路: 分析研究对象的相同点和不同点 (三个特征) 分析不同点极化力为主还是变形性为主 分析影响规律 4.离子的附加极化 当阳离子容易变形时, 要考虑阳离子对阴离子的极化和阴离子对阳离子极化作用。 阳离子 阴离子 阴离子被极化产生诱导偶极 阴离子所产生的诱导偶极反过来诱导变形 性大的阳离子,使阳离子也发生变形,阳离子产生诱导偶极 - + - + -+ - + -+ 阳离子产生的诱导偶极会加强阳离子对阴 离子的极化能力,使阴离子诱导偶极增大 这种效应叫附加极化作用 三、离子极化对物质性质结构和性质的影响 1. 离子极化对键型的影响 例:解释AgF,AgCl,AgBr,AgI按此序由离子键过渡到共价键。 分析思路: 阳离子相同,阴离子不同 阳离子的变形性和极化力大(电子构型决定) 阴离子的变形性由F到I依次增大(离子半径) 答:Ag+具有18电子构型有较强极化作用,使阴离子发生变形,由于阴离子半径F到I依次增大,其变形性也依次增大,从而使阴、阳离子外层电子云重叠,相互极化越强,离子的附加极化作用越强,则键的极性也越减弱,键长缩短,从而由离子键过渡到共价键。 2.离子极化对晶体构型的影响 在键型过渡中缩短了离子间的距离,也减小了晶体的配位数。 例:CdS离子半径比为r+/r-=97/184=0.53,应为NaCl型。实际上CdS晶体却为ZnS。 3. 离子极化对溶解度影响 例:AgF易溶于水,AgCl,AgBr,AgI的溶解度依次递减 例:用离子极化理论解释:Cu+的半径为96 pm,Na+的半径为95 pm,为什么CuCl在水中的溶解度小于NaCl的? 思路: 阳离子电荷相同,半径相近但离子的电子构型不同 Cu+为18电子构型,Na+为8电
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