电子元件的识别和检测.ppt

涤纶薄膜电容 耐压：400V 容量：33X104μF 误差：J为±5％ 表示容量为33X104μF 误差为±5％ 耐压为400V 涤纶薄膜电容器 耐压为“2A”＝1.0×102=100V 容量为“104”＝10×104pF 误差为“J”＝ ±5％ 涤纶薄膜电容器 涤纶电容器耐压的标注是采用一个数字和一个字母组合而成。数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V（伏）。 字母=数值 A=1.0 B=1.25 C=1.6 D=2.0 E=2.5 F=3.15 G=4.0 H=5.0 J=6.3 K=8.0 Z=9.0 例如： 2A代表 1.0*100=100V 1J代表 6.3*10=63V 2G代表 4.0*100=400V 1K代表 8.0*10=80V 例3——数字表示法 CL ——涤纶薄膜电容 容量为47n=47 ×103pF 误差为J＝ ±5％ 耐压为63V 三、识别电感器 电感器实物及图形符号 电感器的单位及符号 电感器用L表示，单位为亨利，符号为H。 常用单位还有毫亨（mH）、微亨（μH），换算关系：1H＝103mH=106μH。 容量 任务3 认识二极管 一、常用二极管实物及图形符号 常用二极管实物展示 二极管图形符号： 文字符号：VD 箭头方向表示二极管正向导通时电流的方向 实物外形正负电极的识别 二、二极管的导电特性实验 观察二极管和导电特性 1. VD正接时 电路原理图 VD正接时实物示意图 2. VD反接时 电路原理图 VD反接时实物示意图 为 何 不 亮 ？？？ 1. 正向偏置 灯泡亮时，与电源正极靠近的就是二极管正极，与电源负极靠近的就是二极管负极，这叫给二极管加上了正向电压称为正向偏置（简称正偏）。 此时二极管的正向电阻很小，如同开关闭合。 2. 反向偏置 灯泡不亮时说明二极管两端加了反向电压，称为反向偏置（简称反偏），此时的反向电阻很大，二极管如同开关断开。 结论 二极管是有极性的器件，具有单向导电性，即加正向电压导通，加反向电压截止 ？？？ 三、二极管的结构与分类 1. 二极管的结构 二极管是由半导体材料制成的，其核心是PN结。PN结具有单向导电性，这也是二极管的主要特性。它是由管芯（主要是PN结）正、负极（从P区和N区分别焊出两根金属引线），封装外壳组成。 半导体材料制成的 奥妙之处！！！ PN结为何有单向导电性?——认识半导体 （1）半导体的定义 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 它一般为四价元素,化学结构比较稳固，所以非常纯净的半导体，即本征半导体导电能力很差。但半导体的导电能力随着掺入杂质、温度和光照的不同而发生很大变化，具有掺杂性、光敏性、热敏性等导电性。 电子技术中常用的半导体材料是硅和锗 载流子：能够运载电荷的粒子称为载流子。 半导体中的载流子有两种： 自由电子：带负电荷 空穴：带与自由电子等量的负电荷。 特性：载流子在外电场作用下可以做定向移动，形成电流。只是本征半导体中的截流子很少，导电性能很差，为提高导电性能，需掺杂，形成杂质半导体。 本征半导体导电示意图 （2）杂质半导体及分类 定义： 掺杂后的半导体为杂质半导体。 分类：按所掺入杂质类型不同，分为P型半导体和 N型半导体。 1）P型半导体：在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的三价元素，就形成P型半导体（空穴型半导体）。其内部有两种运载电荷的粒子，即载流子,其中空穴是多数载流子（简称多子），自由电子是少数载流子（简称少子）。 2）N型半导体：在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的五价元素，就形成N型半导体（或电子型半导体）。其中自由电子是多数载流子（简称多子），空穴是少数载流子（简称少子）。 （3）PN结： 1）定义：利用特殊的掺杂工艺，在一块晶片两边分别生成N型和P型半导体，两者的交界处就会出现一个特殊的接触面，称为PN结 PN结的形成示意图 2）PN结 的特性 PN结上加正向电压，即P区接电源正极，N区接电源负极，这时外加电压产生的外电场与PN结的内电场方向相反，内电场被削弱，形成较大的扩散电流，即正向电流。这时PN结的正向电阻很低，处于正向导通状态。 PN结加反向电压， 即N区接电源正极，P区接电源负极，这时外电场与内电场方向一致，增强了内电场，使PN结的反向电阻大，处于反向截止状态。所以说PN结具有单向导电