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五、二极管——测试 测试前先把万用表调到欧姆档的R*1K档位,再将红黑表笔短路,进行欧姆调零。 【注意不要使用R*1档,以免电流过大烧坏二极管】 正向特性测试: 把万用表的黑表笔(表内正极)搭触二极管的负极。①若表针不摆到0值,而是停在标度盘的中间,这时的阻值就是二极管的正向电阻,一般正向电阻越小越好。②若正向电阻为0值,说明管芯短路损坏,③若正向电阻接近无穷大值,说明管芯断路。断路和短路的管子都不能使用。 五、二极管——测试 测试前先把万用表调到欧姆档的R*1K档位,再将红黑表笔短路,进行欧姆调零。 【注意不要使用R*1档,以免电流过大烧坏二极管】 反向特性测试: 把万用表的红表笔搭触二极管的正极,黑表笔搭触二极管的负极,若表针指在无穷大值或接近无穷大值,管子就是合格的。 五、二极管——测试 五、二极管——主要参数 额定正向工作电流(IF) 二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管约140,锗管约90)时,就会使管芯过热而损坏。所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。 【例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。】 五、二极管——主要参数 最高反向工作电压:(UBR) 加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单项导电能力。为了保证使用安全,规定了最高反向工作电压值。 【例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。】 五、二极管——主要参数 反向电流(IS) 指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下,流过二极管的反向电流,反向电流越小,管子的单向单方向导电性越好。 【反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10,反向电流增大1倍。】 【例如,2AP1型锗二极管,在25时,反向电流若为250μA,温度升高到35,反向电流将上升到500μA,以此类推,在75时,它的反向电流已达到8mA,不仅失去了单向导电性,还会使管子过热而损坏。】 五、三极管 半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它主要的功能是电流放大和开关作用。 三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(b表示)。其他的两个电极成为集电极(c表示)和发射极(e表示)。由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型三极管,另一种的PNP型三极管。 五、三极管 电子制作中常用的三极管有90**,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是to-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等,它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则: 五、三极管——命名规则 第一部分的3表示为三极管。第二部分表示器件的材料和结构。A:PNP型锗材料;B:NPN型锗材料;C:PNP型硅材料;D:NPN型硅材料。第三部分:光电管;K:开关管;X:低频小功率管;G:高频小功率管;D:低频大功率管;A:高频大功率管。 【3DJ型为场效应管,BT开头的表示半导体特殊元件】 五、三极管——内部结构 五、三极管——内部结构 符号中发射极上的箭头方向,表示发射结正偏时电流的流向。 三极管制作时,通常它们的基区做得很薄(几微米到几十微米),且掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则比较高;集电区的面积则比发射区做得大,这是三极管实现电流放大的内部条件。 五、三极管——分类 三极管可以是由半导体硅材料制成,称为硅三极管;也可以由锗材料制成,称为锗三极管。 三极管从应用的角度讲,种类很多。根据工作频率分为高频管、低频管和开关管;根据工作功率分为大功率管、中功率管和小功率管。常见的三极管外形。如图。 五、三极管——外形 电子技术应用基础 课题一 电子元器件的识别和拆装 任课教师: 课题一 电子元器件的识别和拆装 电子电路中常用的器件包括:电阻、电容、二极管、三极管、可控硅、轻触开关、液晶、发光二极管、蜂鸣器、各种传感器、芯片、继电器、变压器、压敏电阻、保险丝、光耦、滤波器、接插件、电机、天线等。 本节课只针对最常用的各种元件进行讲解,抛砖引玉,各位同学在日常中应注意积累相关知识。 半导体的基本知识 自然界中的物质,按其导电能力可分为三大类: 导体、半导体和绝缘体。 半导体的特点: ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 半导体的基本知识 本征半导体: 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 半导
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