5场效应管放大电路资料.ppt

静态时，vI＝0，VG ＝0，ID ＝I 电流源偏置 VS ＝ VG － VGS （饱和区） （3）电流源偏置共源极放大电路 VDS ＝ VDD －IDRd－ VS 需要验证是否满足 2. 图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 3. 小信号模型分析 （1）模型（工作在饱和区） 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当vgs 2(VGSQ- VT )时(必须满足的小信号条件） ??0时 高频小信号模型 式中gm=2Kn(VGS－VT) 解：例5.2.2的直流分析已求得： （2）放大电路分析（例5.2.5 共源电路） 例5.2.6（共漏电路，源极输出器） 交流参数归纳如下 ①电压放大倍数 ②输入电阻 Ri=Rg1//Rg2 或 Ri=Rg+(Rg1//Rg2) 共源极电路（对应共射电路） ③输出电阻 共漏极电路（对应共集电路） ①电压放大倍数 ③输出电阻 ②输入电阻 Ri=Rg+(Rg1//Rg2) 共栅极电路（对应共基电路） ①电压放大倍数 . ②输入电阻 ③输出电阻 Ro≈Rd *5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 本小节不作教学要求，有兴趣者自学 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ 在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个高掺杂P+区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 栅结正偏时栅极电流的方向（从P到N） 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） 根据结型场效应三极管的结构，要实现控制作用，只能工作在反偏的条件下。对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区。否则将会出现栅流。 ① vGS对沟道的控制作用（VDS不变） 当VGS＜0时 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? 沟道电阻增加，iD减小。 当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏源间将形成N沟道多子（电子）由源极向漏极的运动，产生漏极电流iD。 VGS继续减小， iD继续减小，沟道继续变窄 当VGS↓= VP（夹断电压），耗尽层在中间合拢，iD=0。此时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 本质：输入电压VGS控制输出电流iD。 ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? iD ? g、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? iD基本不变 ? ③ vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断， 对于同样的vDS ， iD的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小。 工作原理动画 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 * 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 场效应管的分类： 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.1.1 N沟道增强型MOSFET