电化学沉积制备ZnO解决方案.ppt

电沉积法制备ZnO薄膜的研究进展 李敏 孙亚丽 何换菊 李艳 1.摘要 以铜片为衬底, 用硝酸锌水溶液为电解液, 采用阴极恒电流还原制备氧化锌薄膜。通过改变电流密度、电解液浓度、温度、离子掺杂等实验条件, 系统研究了锌氧化物薄膜材料的电化学沉积过程。当电沉积产物中掺杂铜时, 薄膜材料的光吸收边从375nm 红移到458nm, 带隙能从3.3eV 降到2.7eV, 拓宽了薄膜的吸光范围, 这对ZnO 薄膜在光学方面的应用具有重要意义。 2.引 言 氧化锌( ZnO) 是一种性能很好的材料, 在电子、光学、声学及化学等领域都有广泛应用。 而且, ZnO可实现p-型或n-型掺杂, 有很高的导电、导热性能, 化学性质稳定, 用它来制备发光器件必然具有高的稳定性。 根据1997 年ZnO 的光抽运近紫外受激发射现象的报道，由于其发射的波长比GaN 蓝光更短, 将在提高光记录密度和光信息的存取速度方面起到非常重要的作用, 这引发了对ZnO 半导体激光器件的研究热潮。 ZnO 薄膜的其他CVD制备方法: 等离子化学气相沉积法（PECVD） PECVD装置是在普通CVD反应腔中增加了一对等离子体离化电极板,PECVD一般用有机锌与稳定的含氧气体(如NO2,CO2或N2O等)反应沉积。影响薄膜的主要因素是衬底温度、反应气压和等离子体电离电压。衬底温度一般在200~400℃之间,反应压强约为102 Pa,电离电压约为1.8~4.5 kV。PECVD法的优点是生长速率较快,薄膜表面平整。 固态源化学气相沉积法(SSCVD) SSCVD法是近几年出现的制备ZnO薄膜的方法,它是一种真空度高(本底压强达10-6 Pa)、能量较低的沉积过程。使用的单一反应源多为碱性醋酸锌(BZA)。 SSCVD法沉积ZnO薄膜很重要的一点就是要使沉积腔内存在适量的水蒸气。水蒸气的存在有利于ZnO膜的c轴取向生长,这可能是基于水蒸气提供了氧,填充了ZnO中的氧空位(VO)。由于SSCVD是低能沉积,沉积速率高,薄膜质量较好,可用于声光调相调幅器件。 喷雾热解法(Spray Pyrolysis) 前驱体溶液一般用醋酸锌Zn(CH3COO)2溶于有机溶剂或含醋酸的去离子水形成,溶液的雾化可采用超声雾化法或载气流喷射雾化法。以气溶胶(雾)形式导入反应腔,在加热过程中依次经过溶剂的挥发、醋酸锌的分解等过程,最终残余物质为ZnO。 溶胶-凝胶法(Sol-gel) 溶胶-凝胶法是将可溶性盐作为前驱体,在催化剂作用下,溶解于有机溶剂形成前驱体溶液,在衬底上旋转涂覆前驱体溶液,经热处理固化成膜。另外,此法还可在分子水平控制掺杂,尤其适合于制备掺杂水平要求精确的薄膜。 电化学沉积法（ECD） 简单的说电化学反应是在电极(电子导体)和溶液(离子导体)界面上进行的电能和化学能相互转化的反应。根据溶液体系以及工艺条件的不同，ZnO薄膜的生长机理也不完全一致。从电化学电极过程来分，目前可分为阴极还原理论和阳极氧化理论两种假说。 本文采用的电化学沉积法制备薄膜的优点突出如下： 既可以沉积金属薄膜，又可以制取非金属薄膜，且成膜速率快，同一炉中可放置大量基板或工件； 电化学沉积法对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔等都能均匀覆膜；由于成膜温度高，反应气体、反应产物和基体的相互扩散，使膜的残余应力小，附着力好，且膜致密，结晶良好； 另外，EVD是在高饱和度下进行的，成核密度高，且沉积中分子或原子的平均自由程大，这些都有利于形成均匀平滑的薄膜。 ECD基本原理： O2 + 2H2O+ 4e →4OH- NO3- + H2O+ 2e → NO2- + 2OH- ITO + OH- ITO → - OH-ad Zn2++ 2OH-ad → Zn(OH)2(s) Zn(OH)2(s) → ZnO+ H2O 由于其简单、低成本、膜厚和形貌可控(通过调节电化学参数) ，本文采用电化学沉积法成功制备了高光学质量的ZnO 薄膜。 3.实 验 3.1 样品制备 电化学沉积法制备ZnO 薄膜使用电化学工作站配备的三电极电化学池(工作电极接ITO 导电玻璃, 对电极为铂电极, 参比电极为饱和甘汞电极) , 具体实验步骤如下: 1) 基片(ITO导电玻璃)清洗:用碱性洗液(25%氨水B30%H2O2BH2O= 1B2B5)煮沸15 min, 然后用大量去离子水冲洗,干燥后留用。使用前再用丙酮和去离子水依次超声15 min。 2) 采用阴极恒电流模式对基片进行预电化学活化处理,阴极电流控制在2mA, 作用时间