东华大学模拟电子技术——第八章放大电路的频率响应20140429解决方案.ppt

六、多级放大电路频率响应 对于N级放大电路，若各级的下、上限频率分别为fL1～ fLn、 fH1～ fHn，整个电路的下、上限频率分别为fL、 fH，则 由于 求解使增益下降3dB的频率，经修正，可得 1.1为修正系数 东华大学电路电子中心 E.E.CENTER DHU 东华大学电路电子中心 E.E.CENTER DHU 模拟电子技术基础 第8章 放大电路的频率响应 第8章 放大电路的频率响应 1、频率响应的基本概念 2、放大电路的频率参数 3、晶体管的高频等效电路 4、场效应管的高频等效电路 5、单管共射放大电路频率响应 6、多级放大电路的频率响应 一、频率响应的基本概念 研究的问题： 放大电路对信号频率的适应程度，即信号频率对放大倍数的影响。 放大电路中耦合电容、旁路电容、半导体器件极间电容的存在，使放大倍数为频率的函数。 使用放大电路应了解其信号频率的适用范围，设计放大电路时应考虑满足信号频率的范围要求。 一、频率响应的基本概念 基本概念（1）高通电路:信号频率越高，输出电压越接近输入电压。 一、频率响应的基本概念 （1）高通电路：频率响应 fL 低频段放大倍数表达式的特点？下限截止频率的特征？ ffL时放大倍数约为1 一、频率响应的基本概念 基本概念（2）低通电路:信号频率越低，输出电压越接近输入电压。 一、频率响应的基本概念 （2）低通电路：频率响应 fH 高频段放大倍数表达式的特点？上限截止频率的特征？ ffH时放大倍数约为1 一、频率响应的基本概念 频率响应基本概念总结 ① 电路低频段的放大倍数需乘因子 ② 当 f=fL 时放大倍数幅值约降到0.707倍，相角超前45o； 当 f=fH时放大倍数幅值也约降到0.707倍，相角滞后45o。 ③ 截止频率由电容所在回路的时间常数决定。 电路高频段的放大倍数需乘因子 ④ 频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。 二、放大电路的频率参数 在低频段，随着信号频率逐渐降低，耦合电容、旁路电容等的容抗增大，使动态信号损失，放大能力下降。 在高频段，随着信号频率逐渐升高，晶体管极间电容和分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小，使动态信号损失，放大能力下降。 下限频率 上限频率 三、晶体三极管的高频等效电路 混合π模型 结构：由体电阻、结电阻、结电容组成。 rbb’： 基区体电阻 rb’e’：发射结电阻 Cπ： 发射结电容 re： 发射区体电阻 rb’c’：集电结电阻 Cμ： 集电结电容 rc： 集电区体电阻 因多子浓度高而阻值小 因面积大而阻值小 三、晶体三极管的高频等效电路 忽略小电阻，考虑集电极电流的受控关系 gm为跨导，它不随信号频率的变化而变。 因在放大区iC几乎仅决定于iB而阻值大 因在放大区承受反向电压而阻值大 三、晶体三极管的高频等效电路 混合π模型：忽略大电阻的分流 Cμ跨接在输入回路和输出回路，引入了反馈，信号传递有两个方向，使电路的分析复杂化。 三、晶体三极管的高频等效电路 用密勒定理简化模型 等效变换后电流不变 得密勒电容为： 同理可得： 三、晶体三极管的高频等效电路 晶体三极管简化的高频等效电路 ？ 三、晶体三极管的高频等效电路 电流放大倍数的频率响应 为什么短路？ 三、晶体三极管的高频等效电路 电流放大倍数的频率特性曲线 三、晶体三极管的高频等效电路 晶体管的频率参数 对应的频率 f 。 共射截止频率 共基截止频率 对应的频率 f 。 特征频率 对应的频率 f 。 集电结结电容 。 手册查得 三、晶体三极管的高频等效电路 例题 电路如图。已知各电阻阻值；静态工作点合适，集电极电流ICQ＝2mA；晶体管的rbb’=200Ω，Cob=5pF，β=50 fβ=1MHz。 试求解该电路中晶体管高频等效模型中的各个参数。 三、晶体三极管的高频等效电路 高频等效电路： 解： 四、场效应管的高频等效电路 可与晶体管高频等效电流类比，简化、单向化变换。 很大，可忽略其电流 单向化变换 极间电容 Cgs Cdg Cds 数值/pF 1～10 1～10 0.1～1 忽略d-s间等效电容 五、单管共射放大电路频率响应 中频段：C1、C2 短路， 开路。 低频段：考虑C1、C2 的影响， 开路。 高频段：考虑 的影响， C1、C2短路。 单管共射放大电路等效模型 五、单管共射放大电路频率响应 1. 中频电压放大倍数 带负载时： 空载时： 五、单管共射放大电路频率响应 2. 低频电压放大倍数: 设Rbrbe，且Ri=rbe 五、单管共射放大电路频率响应 2. 低频电压放大倍数: 若fL14 fL2 ，取fL= fL1； 若 fL24 fL1 ，取fL= fL2。 否则： 五、单管共射放大电路频率响