第五章压力传感器教案分析.pptVIP

* * 第五章 压力传感器 （pressure sensors） 工程上的压力，实际上就是物理学中的压强，即介质（气液体）垂直作用于单位面积上的力，它是工业生产过程中的一个重要参数，也是一个重要的安全指标：P=F/S。 1Pa=1(N /m2) =(10-5公斤力)/cm2。还有毫米汞柱、水柱等。 低压 107 Pa ，高压 6×108Pa ，真空度指绝对压力低于当地大气压。 常见的压力计有三大类： 1.液柱式压力计：利用液柱产生的压 力与被测介质压力相平衡。 即： P1-P0=hr 其中P1为被测压力，P0 为大气压力， h为液柱高度，r为液体(水、水银)比重。 2.弹性式压力计： 利用弹性元件的变形与压力之间存在一定的关系来检测压力。 常见的弹性元件有：平 膜片、 C 型弹簧管、膜盒、 波纹管。 其中波纹膜片和波纹管 多用于微压和低压测量； 单 圈和多圈弹簧管可用于高、 中、低压和真空度的测量。 3.电气式压力计：压力 ? 电信号 1）利用弹性元件将压力?弹性元件的变形（位移），再利用位移传感器将位移?电信号。 位移传感器有：电容式、电感式、电阻式、电位器式、霍尔式、应变式等。 1.外壳；2.固定电极板； 3.绷紧的膜片 1.O型密封圈； 2.金属膜片； 3.玻璃； 4.多孔金属过滤器； 5.电镀金属表面 2）利用力敏传感器将压力?电信号。 如：压阻式、压电式等。 第一节 压阻式传感器 (piezoresistor sensors) 一、工作原理：其原理与半导体应变片式传感器基本相同，其原理基于压阻效应：即 半导体的电阻率变化量与压力成正比： 式中 — 半导体材料的压阻系数； σ — 所受应力(应力是指单位面积上的平均内力) 。 ε — 应变； E —弹性模量。 对于半导体材料，受力后压阻效应造成的电阻率变化远远大于形状变化造成的电阻变化。半导体丝材的电阻变化为： 注意：半导体晶体在不同方向的压阻系数不同（分为纵向压阻系数、横向压阻系数、剪切压阻系数）。 二、应用：固态压阻式压力传感器 固态压阻式传感器示意图如下所示，其中 （b）图为硅杯。 ? ? 其核心为一块园形硅膜片（作为弹性敏感元件），其膜片周围用硅环固定，通常称作硅杯，在膜片上利用集成电路工艺方法扩散上4个阻值相等的电阻：R1、R2、R3、R4，其中两条位于压应力区，另两条处于拉应力区，相对于膜片中心对称，再由导线接成电桥。 第二节 压电式传感器 (piezoelectvic sensors) 一、工作原理：基于压电效应 概念：压电传感器是一种典型的有源传感器，又称自发电式传感器。其工作原理是基于某些材料受力后在其相应的特定表面产生电荷的压电效应。 特点：体积小、重量轻、结构简单、工作可靠，适用于动态力学量的测量，不适于测频率太低的被测量，更不能测静态量。 应用：目前多用于加速度和动态力或压力的测量。除此之外，因压电传感器是一个典型的机电转换元件，它在超声、水声换能器、拾音器、滤波器、压电引信、煤气点火具等方面已普遍应用。 1、压电效应： 力?电荷。 当某些晶体（例如石英晶体）沿着一定方向受外力作用时，晶体内部电荷分布发生变化，使得它的两个表面上产生符号相反的电荷；当外力撤去后，又重新恢复到不带电的状态，这种现象称为压电效应。压电效应的电荷量与外作用力F 成正比，即 式中 qa——压电晶体某个表面上的电荷量，C； F ——外加作用力，N； d——压电系数（与压电材料特性有关）。 压电效应 2、逆压电效应：电场?变形。 （1）由于压电晶体是各向异性（各方向产生的压电效应不尽相同），所以当受力方向和受力方式不同时，压电系数也不