第一章半导体器件要点分析.pptVIP

　回 顾 作业 18----22、25---28 * * * ? * 第一章 半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 PN结 1.3 半导体三极管 1. 二极管的特性、应用 2.半导体三极管 NPN型 PNP型 3. 三极管连接方式 C E B 符号 C E B 符号 4. 三极管的放大作用 三、三极管的放大作用 内部条件 （1）基区较薄，基区掺杂浓度低。 （2）发射区掺杂浓度高。 外部条件 （外加电源极性） 发射结加正向电压 集电结加反向电压 （集电结反偏） （发射结正偏） 对于NPN型：UCUBUE 对于PNP型：UEUBUC 电压关系： 发射区集电区基区 （3）集电区体积大、掺杂少，能收集载流子。 晶体管中载流子的运动过程 （1）发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流 发射结正偏 扩散强 穿过发射结的电流主要是电子流 形成发射极电流IE IE是由扩散运动形成的 E区多子（自由电子）到B区 1、载流子的传输过程 晶体管中载流子的运动过程 （2） 电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流IB E区电子到基区B后，有两种运动 扩散IEC 复合IEB 基区中电子被EB拉走形成 IB 形成稳定的基极电流IB IB是由复合运动形成的 晶体管中载流子的运动过程 （3）集电极收集电子，形成集电极电流IC 集电结反偏 阻碍C区中的多子（自由电子）扩散，同时收集E区扩散过来的电子 有助于少子的漂移运动，有反向饱和电流ICBO 形成集电极电流IC 关系：发射极电流分成 基极电流 集电极电流 b e c e Rc Rb IEp ICBO IE IC IB IEn IBn ICn IC = ICn + ICBO IE= ICn + IBn IB= IBn－ICBO IE =IC+IB 晶体管内部载流子的运动与外部电流 * 2、电流分配 IB IC IE IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IC/mA 0.01 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IE/mA 0.01 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 （1）典型数据 （2）结论： （1） IE=IC+IB 符合基尔霍夫电流定律。 （2） IE和IC比IB 大的多。 （3）直流电流放大系数： （4）交流电流放大系数： 3、晶体管的共射极电流放大系数 （1）直流电流放大系数 （2）交流电流放大系数 ?与? 的关系　 IC IE + C2 + C1 VEE Re VCC Rc 共基极接法 * 4、晶体管的共基极电流放大系数 　　直流参数 与交流参数 ?、 ? 的含义是不同的，但是，对于大多数三极管来说，? 与 ， ? 与 的数值却差别不大，计算中，可不将它们严格区分。 四、晶体管的特性曲线 uCE = 0V uBE /V IB=f(uBE)? UCE=const (2) 当uCE≥1V时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，在同样的uBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1、 输入特性曲线 uCE = 0V uCE ? 1V uBE /V + - b c e 共射极放大电路 UBB UCC uBE iC iB + - uCE （1）放大区：发射结正向偏置，集电结反向偏置 （2）截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置 （3）饱和区： 2、输出特性曲线 此时 发射结正向偏置，集电结正向偏置 对于NPN型：UCUBUE 对于PNP型：UEUBUC 对于NPN型：UCUEUB 对于PNP型：UBUEUC 对于NPN型：UB≥UCUE 对于PNP型：UEUC≥UB 五、晶体管的主要参数 1 、电流放大系数 ：静态电流（直流）放大系数 ：动态电流（交流）放大系数 2、集—基极反向电流ICBO ICBO越小越好。 发射极开路时的集电极电流 决定晶体管工作的温度的稳定性 EC μ A + _ T + _ ICB0 3、集—射极穿透电流ICEO 基极开路（IB=0）时电流 ICEO愈小，三极管质量越高 4、集电极最大允许电流ICM 集电极电流IC超过一定值时，晶体管的 值要下降。当 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流。 5、最大集电极耗散功率PCM PCM= ICuCE 6、反向击穿电压 ? UCBO——发射极开路时的集电结反向击穿电压。 ? U EBO——集电极开路时发射结的反向击穿电压。 ? UCEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。 几个击穿