第一周模电教案分析.pptVIP

三、半导体二极管的命名方法 反应直流参数、交流参数、和极限参数等的差别。 反应承受反向击穿电压的程度。如规格号为：A、B、C、D……。其中A承受的反向击穿电压最低，B次之 ……。 如2AP9，“2”表示电极数为2，“A”表示N型锗材料，“P”表示普通管，“9”表示序号。 1.2.2、半导体二极管的伏安特性 以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来，构成二极管伏安特性曲线。 IS------反向饱和电流，单位为A； VT-----温度电压当量，常温（T=300K）VT≈26mV。 i v Von 1、正向特性---加正向电压时的特性 i v Von v＜Von，二极管截止，正向电流i很小，几乎为零； v＞Von，二极管导通，正向电流i明显增大，两端电压并没有明显增大，相对是一个恒定状态。 二极管开始导通时电压Von ~~ “门限电压”、“死区电压”、“导通电压”、阈值电压。 锗管约0.3V, 硅管约0.5V。 工程上取硅管Von=0.7V，锗管Von=0.2V。 2、反向特性---加反向电压时的特性 二极管加反向电压，反向截止，理论认为二极管不导电。 外加反向电压不超过一定范围时通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成的很小的反向电流，称为反向饱和电流IR或漏电流，电流受温度影响很大。 i v Von 反向饱和电流 3、击穿特性 i v Von 特点：击穿后尽管电流迅速增大，二极管两端电压却基本不变。 外加反向电压超过某一数值VBR时，反向电流会急剧增大，这种现象称为击穿，对应电压称为击穿电压。 通常一百多伏到几百伏。 击穿后的二极管失去单向导电性 4、温度对二极管伏安特性曲线的影响 T↑----热激发产生的少数载流子↑ ----反向偏置 ---反向饱和电流IS ↑ T↑----热激发产生的少数载流子↑ ----正向偏置 ---开启电压↓ 2、反向工作峰值电压VR 二极管工作时允许外加的最大反向电压。 一般为反向击穿电压的一半。 u i 0 VR IS IF VBR 1、最大整流电流 IF 二极管长期运行允许通过的最大正向平均电流。 1.2.3、半导体二极管主要参数 其值与PN结面积、散热条件有关。 3、反向峰值电流 （ 反向饱和电流）IS 4、最高工作频率 fM ： 二极管维持单向导电性的最高工作频率。 二极管未被击穿时流过二极管的反向电流。 此值越小，单向导电性越好。 二极管中存在结电容，当频率很高时，容抗小，电流可直接通过结电容，破坏二极管单向导电性。 制作工艺和材料，通常锗管比硅管差。 v i 0 VR IR IF VBR 硅 v iD 0 正向导通 反向截止 0.5 0.2 击穿 反向饱和电流 1.2.5、二极管的等效电路 1、忽略导通电压的理想特性： i v 0 正向电压时二极管是闭合的开关，反向电压时二极管是断开的开关。 开关模型 等效电路是一个理想二极管 理想二极管实际就是一个开关元件。 开关控制由两端外加电压控制。 * * * 1 电子技术基础 1半导体器件 2基本放大电路 3集成运放大电路 4数字逻辑基础 5逻辑门电路基础 6组合逻辑电路 7触发器和时序逻辑电路 8脉冲产生和整形电路 9数/模和模/数转换器 10 半导体存储器和可编程逻辑器件 ?1.1 半导体基础知识 ?1.2 半导体二极管 ?1.6 双极型晶体管 ?1.7 绝缘栅型场效应管 第1章半导体器件 ?1.3 二极管基本应用电路 ?1.4 稳压管 ?1.5 其他类型二极管 按导电能力大小分类： 导 体 -----导电性能好，电阻率在10-4 ??cm 以下。金属铜铁 半导体 ----- 导电性能介于导体和绝缘体之间，电阻率在10-3 ??cm~109 ??cm 范围内。如硫化物（硫化镉、硫化锌等）、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物)等。 绝缘体 -----导电性能很差，几乎不导电；电阻率在1010 ??cm 以上。橡胶、塑料、木材、陶瓷、和石英等。 体积小、重量轻、耗电少、寿命长、性能可靠 1.1半导体基础知识 第一章 半导体器件 1）热敏性：环境温度升高时，导电能力增强很多。 3）湿敏性：根据湿度不同导电性能改变。 半导体材料的导电能力受环境会影响很大 4）掺杂性： 半导体掺上一定浓度的杂质后，导电能力会大大增加。 2）光敏性： 无光照和绝缘体一样不导电，受光照导电能力变强。 1.1.1 本征半导体 每层电子数 = 2 ? n2 n（层数） 1 2 2 8 3 18 4 32 化