模拟电子技术 第5章.pptVIP

小结：N型MOSFET的三个区域 截止区：条件：vGS＜VT， 特点：工作电流iD=0； 作业： 5.2.2；5.2.3；5.2.9 三、 小信号模型分析 1、模型推导 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当，vgs 2(VGSQ- VT )时，忽略非线性失真项，得： 假设工作在饱和区 高频小信号模型 低频小信号模型 在高频时考虑结间电容得到: 由于rds很大一般可以忽略: 解：例5.2.2的直流分析已求得： （2）放大电路分析（例5.2.5P218页） s s 例5.2.6 共漏 §5.3 结型场效应管（JFET） 一、JFET的结构和工作原理 结构与符号 g s d (b) P+ s g d N N P+ (a) 源极 漏极 栅极 N沟道JFET 耗尽型沟道 栅极PN结 N型导电沟道 N+ s g d P P N+ (a) 源极 漏极 栅极 g s d (b) P沟道JFET 耗尽型沟道 栅极PN结 P型导电沟道 2. 工作原理（以N沟道管为例） （1） 令vDS=0 在g和s（PN结）间加一反偏vGG，即vGS为负值。 | vGS|?，耗尽层均匀增加，沟道均匀变窄。 vGS P+ s g d N N P+ （2）| vGS|?? ， vGS= VP。沟道被夹断。 VP：夹断电压 耗尽层 vGS P+ s g d N P+ vDS g 耗尽层 iD?0 即使加vDS， iD亦为0。 （2）|Vgs|=0，vDS?，沟道电场强度?? iD? 但从源极到漏极，产生一个沿沟道的电位梯度。因此靠漏极 耗尽层宽，靠源极耗尽层窄，沟道成楔形。 P+ s g d N P+ g 耗尽层 iD迅速增大 VDS vDS?? ，两边耗尽层在A点相遇，称为预夹断， 此时g点和A点间电压为VP。即 vGS – vDS = VP P+ s g d N P+ g 耗尽层 iD趋于饱和 VDS 耗尽层 A vDS??? ， |vgs|越大，耗尽层越厚，iD饱和电流越小，体现了vgs对iD的控制作用。 夹断长度? P+ s g d N P+ g 耗尽层 iD饱和 VDS 耗尽层 A 3 输出特性与转移特性 A B C VP vDS＝10(V) 0 4 81012 16 20 0.2 0.4 0.6 0.8 预夹断 A B C vDS(V) iD(mA) –0.4 –0.8 vDS＝10(V) vGS=0 iD(mA) –0.8 –0.4 –1.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 vGS(V) IDSS 截止区：VgsVp 可变电阻区 饱和区 ? P型JFET与N型JFET类似，不同的是Vgs极性相反 可变区：0≥Vgs≥Vp, Vds≤Vgs-Vp 饱和区：0≥Vgs≥Vp, VdsVgs-Vp 小结（一） ：4种MOSFET的特点 夹断电压VT小于0； 饱和条件： vGS VT，且vDS≤（vGS－VT） 增强型PMOS 工作电压VDS0 夹断电压VP大于0； 饱和条件： vGS VP，且vDS≤（vGS－VP） 耗尽型PMOS 工作电压VDS0 夹断电压VT大于0； 饱和条件： vGS VT，且vDS≥（vGS－VT） 增强型NMOS 工作电压VDS0 夹断电压VP小于0； 饱和条件： vGS VP，且vDS≥（vGS－VP） 耗尽型PMOS 工作电压VDS0 饱和区 可变电阻区 增强型MOS管电流方程： 饱和区 可变电阻区 耗尽型MOS管电流方程： 耗尽型MOSFET和JFET比较 相同点：? vGS = 0 时，有导电沟道 ? 小信号等效模型相同 不同点：耗尽型MOSFET： vGS可正可负 JFET： vGS 必须反偏工作且具有低噪声的特点 ? 管子工作在饱和区有 CE BJT FET CS CC CD CB CG 5.5 各种放大器件电路性能比较 BJT与FET比较： BJT：有2种载流子参与导电，基极输入阻抗低，基极电流控制继电器电流，是电流控制电流的受控电流源器件，放大倍数较高； FET：只有1种载流子参与导电，门极输入阻抗超高，门极电压控制漏极电流，是电压控制电流的压控电流源器件，gm较小，放大能力不如BJT。 组态对应关系： * * 第五章 场效应管放大器 主要内容 场效应管的分类 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 场效应管的基本概念与BJT对照 场效应晶体管(FET)是一种利用电场控制电流的半导体器件， BJT为电流控制电流的半导体器件； FET有3个电极：栅极(g)、源极(s)与漏极(d)，分别对应BJT的 基极(b)、发射极(e)与集电极(c)； FE