工程LAMP流程图及制程注意事项事项分析报告.ppt

LAMP流程图及制程注意事项 工程组: 吴子圳 固晶站 固晶班製程注意事項 1.所用的原物料:支架、晶片、銀浆、絕緣膠 2.领支架時,注意不能有支架氧化、支架变型、正负极錯位 3.领晶片注意不能有晶片鋁墊氧化、破損、刮傷、缺角、晶片碎裂、紅點電性不良晶粒及晶片附頁是否有IQC Q检章 4.翻晶時注意:晶片是否有來料不良(如缺角、变色、掉鋁墊等) 自动晶片鋁墊朝外, 5.翻晶及擴晶的溫度設定在60 ±5 ℃. 6.扩晶時,晶片扩开后每相邻两颗晶片之间的间隔約為2-3顆晶片的宽度. 7.銀漿冷冻条件:－20℃,冷藏条件件: －5℃, 解凍條件:常溫下1.5H, 攪拌時間: 30分鐘, 8.固晶時,注意銀漿及絕緣膠高度: (1).银胶量要求介于晶片1/3～1/2高度如图1，绝缘胶胶量不得溢到晶片表面，且需保证晶片至少三面环胶如图： 图1： 9. 固晶OK的材料進行目视,目视需要注意:偏晶、銀漿多/少、漏固、晶片翻倒、晶片表面或側面沾膠、晶粒傾斜、晶片破損等. 10. 銀漿烘烤溫度为為150 ℃/2H. 11. 絕緣膠烘烤溫度為150 ℃/2H. 12. 注意推力測試必須≧ 90g 13. 所有产品防靜電作業!! 固晶站製程中常見不良图片 支架碗杯内未固晶片 晶片翻倒 晶片底部朝上而鋁墊與銀漿或絕緣膠相連 銀漿過多或過少 銀漿高度超出晶片高度1/2以上或低于晶片高度的1/3,特別注意反极性晶片. 多固晶片 兩颗晶粒上下重叠或多固一個多余晶片 支架变形 支架陰陽极或其它部分变形 銀漿短路 支架陰陽極銀漿連接短路 杯壁沾膠 支架杯壁沾膠 偏固 晶粒偏離支架正中心置1/2晶粒寬以上. 晶片傾斜 晶片底部有一边偏离水平面 晶片沾膠 晶片表面粘胶或侧面爬胶 晶片刮傷 晶片表面固晶用力过大,將鋁墊刺伤 阳极粘胶 第二焊点处有银胶影响焊线 晶片破損 晶片破损面积大于晶片面积1/5以上 晶片鋁墊氧化 晶片鋁墊氧化影响焊线 焊線站 焊線班製程注意事項 1.所用的原物料:金线 2.焊线温度: (1). 红、黄光焊線溫度設定為200℃ -230℃(普通） (2).蓝、绿 焊線溫度設定為180℃ -190℃(普通） 3.焊線時,注意焊球大小约为线径的3倍.最大不可超过焊垫.见图： 4.线弧要求，焊线弧度要求高于二焊点约1-2mil见图: 5.焊線ok的材料進行目視:目視注意對塌線、雜線、倒線用刺筆修正. 6.對斷線、弧度過高/低、晶片破損、松動、晶片變色、尾線過長、用刺筆挑掉然后進行返修. 焊線站制程中常见不良图片 第一焊点焊球脱离晶片鋁墊造成松焊或第二焊點脱离支架造成松焊. 断线 第一焊点与第二焊点之间任何一处断线 塌线 金线与晶片边缘接触或塌线于碗杯边短路 偏焊 焊點与焊垫接触面小于焊垫面积2/3 弧度过低或过高 金线高度低于1/2晶片高度或高于晶片高度2/2 金球重叠 金垫上有两个焊点以上 弧度变形 线型呈S形或其它不规则形 焊球過大或過小 金球過大超出鋁墊范圍或小于線徑3倍 晶片破損 晶片破損面積大于晶片1/5以上 封胶站 灌膠站製程注意事項 1.所用的原物料:模粒 膠水 2.模粒預熱時間溫度:125℃ /30分钟. 3.配胶順序:CP+DP+A+B,胶水搅拌時間:15分鐘,抽真空条件:60℃ /10分鐘. 4.我司常用胶水:EF400(力上）、815N（强力）、 TH480(天环）、800（惠利）、2015R(宜家） 5.DP:DF090 6.CP部份:红色R-100、黄色Y-200S、蓝色B-500 绿色G-400B。 7.所用胶水预热条件: (1).A胶预热条件: 60℃ ± 5 ℃ /30分 (2).DP膠預熱條件:60℃ ± 5 ℃ /30分钟 存放时间不能超过有效期. (3). CP放置于60℃±5℃存放,存放時間不可超過半年. 8.粘胶机清洗:2H清洗一次 9.灌胶头清洗条件:4H清洗一次 10.模粒在灌完有色的材料后,必須洗模才可以灌透明的材料. 11.胶水的使用时间: AB胶混合后在4小時內用完. 12.目视内容:模粒放反、卡点不对、杯内气泡、外观气泡、珍珠气泡、插深插淺、插偏、插反、多/少膠等不良. 13. 短烤烤及长烤条件:短烤1小时间，长烤6-8小时。 封胶站製程中常見不良图片 插支架方向与正常相反,(正常机种阴极对缺边) 胶体多/少胶 胶体(指帽沿)部分多(少)胶与正常相比超过0.5mm以上. 氣泡 胶体表面有針孔狀的气泡或胶体內形成針孔状气泡. 支架插偏 支架插入模粒內未在模粒的中心位置 支架插深/淺 插支架