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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 其中气相外延生长是在单晶衬底上气相生长半导体外延层,是20世纪60年代以来发展起来的重要技术。 气相外延生长的温度远低于所生长材料的熔点,因此有利于获得高纯材料、具有高离解压难以从熔体中生长的材料和陡峭P-N结或异质结构材料。 生长速度典型值为每小时几到几十μm,适于生长超晶格和量子阱结构,这种广泛被用于半导体材料和固态器件的研究与生产中。 若单晶是通过气源在衬底区发生的反应,产生的固相在衬底上形成外延层,气态副产物排出反应室,这就归属于化学气相沉积技术(CVD)。 使用的化学方法一般包括: Ⅰ.氢还原反应: Ⅱ.歧化反应(自身氧化—还原反应) Ⅲ.热分解反应 Ⅳ.热分解—合成反应 实际上反应室中所发生的过程远比上述化学反应复杂。气相外延生长的运输和反应基本过程如下: a.反应剂(源)从主气流区输送到沉积区; b.反应剂在高温沉积区内发生气相反应,产生“成膜前体”(film precursor) 和副产物 c.成膜前体输运到成长表面,接着吸附到成长表面 d.成膜前体通过表面扩散到生长点 e.表面反应,生成的固相并入到生长膜中 f.表面反应产生的副产物的脱附 g.副产物输运到主气流中离开沉积区并流出反应室 因此,气相外延涉及气相运输、气相及表面反应和晶体生长的复杂过程。 习惯上气相外延方法常以起始源化合物来命名,如卤化物气相外延、金属有机物气相外延。 作为源的物质在常温下或是气态的或是具有较高蒸气压的凝聚态,其蒸气可以用载带气体输运到反应区中。 介绍讨论以GaAs为代表的化合物半导体的卤化物气相外延生长。 GaAs的氯化物气相外延生长以AsCl3为砷源,以Ga或GaAs为镓源,载气通常为H2,亦可使用N2或Ar气,镓源置于高温区(800℃),AsCl3与Ga(或GaAs)反应以产生GaCl3,同时反应生成的As4溶解于Ga中,直至在镓的表面生成完整的GaAs多晶壳层。 在生长GaAs壳后,源区的反应产物GaCl、As4、HCl等流向温度较低的生长区(650℃),在GaAs衬底上生长出外延层. ③.焰熔法生长刚玉型彩色宝石简介 这六粒翡翠戒面,从左到右显示绿色由浓至淡 星光红宝石 月光石 金绿宝石猫眼 星光蓝宝石 欧泊的变彩 珍珠光彩 亚历山大石 日光灯下呈绿色,白炽灯下红色 人工合成宝石的蓬勃兴起要追溯到18世纪中下叶至19世纪。 1837年,法国化学家马克·高丁正式从化学的角度对宝石进行研究。他使用含有重铬酸钾的明矾和硫酸钾饱和溶液进行反应,将残留物熔融得到氧化铝结晶体,开始了正式以化学方法合成宝石的历史; 1877年,法国的弗雷米和费尔又用焰熔法将Al2O3熔于PbO中,在20天内长出小片状红宝石晶体; 1885年,二人与瑞士的乌泽在红色Al2O3粉末中加入少量重铬酸钾,用氢氧火焰熔化生长出合成红宝石,并开始大量投放欧洲市场,这种合成红宝石被称为“再造红宝石”或称“日内瓦红宝石”; 1902年,法国化学家维尔纳叶在弗雷米等人的基础之上改进了焰熔技术! 水热法出现于1905年; 提拉法出现于1917年; 我国对人工晶体材料的真正研究,始于上个世纪50年代。 50年代末研究焰熔法合成刚玉类宝石和水热法合成水晶技术开始; 60年代和70年代研制成功合成金刚石、人造钇铝榴石(YAG)、人造钆镓榴石(GGG)和变色猫眼石等宝石晶体; 80-90年代,研制冷坩埚熔壳法合成立方氧化锆晶体,水热法合成祖母绿和红宝石晶体,以及制作玻璃猫眼、金星玻璃系列品种等方面获得成功; 21世纪初又成功研发了人造夜光宝石等新型的人工宝石品种。 目前市场上大量出现的,可以规模生产的,成本低廉的有以下几个系列: 刚玉系列(焰熔法):价格在几元至几十元人民币一粒戒面。 水晶系列:价格在30-40元一串项链。 立方氧化锆(CZ)系列:锆石的, 价格和上述合成刚玉相当。 玻璃系列:很复杂,从普通玻璃到掺入钙、铅、稀土等特殊
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