微电子制造工艺ch材料与工艺要点分析.pptVIP

半导体材料和集成电路平面工艺基础 课程目的 本课程是为今后从事集成电路设计和集成电路制造的微电子学专业本科学生开设的专业选修课。 在掌握微电子器件和集成电路工作原理和结构的基础上 IC工艺需要精密地定量控制（有相关工艺设计与仿真软件），但是，本阶段工艺课程学习以定性或半定量为主。 制造工艺包含了各种专门技术，技术的选用应保证某一种器件的功能实现、保证其特殊的性能，还应保证产品的大规模生产、高成品率（良率）、高可靠性和低成本！ 要掌握课程内容，需要熟悉半导体器件原理和特性、相关材料的特性、各个环节的分析测试技术，需要在实践中不断积累；因而，也需要较多地阅读参考资料，以逐步掌握并应用工艺原理及技术。 本课程着重给出主要工艺环节的相关要点！ 课程学习要求 鼓励课堂提问和答问（争取获得奖励分！） 鼓励相互小声（不影响他人！）讨论课堂内容 课程作业次周交，占课程总成绩30% 课程假设大家都已具备较好的大学物理、半导体物理和半导体器件（含集成电路）的知识，能够理解测试技术中的基本物理原理，（建议大家复/预习相关知识） 作业和考试不可避免地将涉及上述知识 材料 器件 工艺 References：(Materials) References：(Processing) 集成电路芯片？ 集成电路芯片？ 集成电路芯片？ 集成电路芯片？ 主要教学内容： 第一篇(Overview Materials) 第一章： 半导体工业及芯片工艺发展概述 第二章：半导体材料的基本性质 第三章：Si单晶的生长与加工 第四章：几种化合物半导体的材料生长与加工 小结: 材料 器件 工艺  第二篇(Unit Process) 第一章：IC制造中的超净和硅片清洁技术 第一单元：热处理和局域掺杂技术 第二章：扩散掺杂技术(Ch3) 第三章：热氧化技术(Ch4) 第四章：离子注入技术(Ch5) 第五章：快速热处理技术(Ch6) 第二单元：图形加工技术 第六章：图形转移技术（光刻技术）(Ch7~9) 第七章：图形刻蚀技术(Ch10~)  第三单元：薄膜技术 第八章：薄膜物理淀积技术(Ch12) 第九章：薄膜化学汽相淀积（CVD）技术(Ch13) 第十章：晶体外延生长技术(Ch14) 第四单元：集成技术简介 第十一章：基本技术(Ch15) 第十二章：几种IC工艺流程(Ch16) 第十三章：质量控制简介 第一章 半导体工业及芯片工艺概述 半导体器件和集成电路种类 集成电路中的元、器件结构 特征尺寸及其制约特征尺寸的因素 摩尔定理 芯片制造的基本流程 良率 工艺兼容性、可制造性与成本 其它 第一章 半导体工业及芯片工艺概述 半导体器件和集成电路种类 1、集成电路的基本单元（有源元件） 二极管： 按结构和工艺： 金/半接触二极管：肖特基二极管、（点接触二极管） 面结型二极管：合金结二极管、扩散结二极管、 生长结二极管、异质结二极管、等 按功能和机理： 振荡、放大类：耿氏二极管、雪崩二极管、变容二极管、等 信号控制类：混频二极管、开关二极管、隧道开关二极管、 检波二极管、稳压二极管、阶跃二极管、等 发光类：发光二极管(LED)（半导体激光器）、 传感器：各类光电二极管（探测器、光伏器件）、 各类力、热、磁传感器、等 晶体管：（放大、开关、高频、…？） 双极型晶体管：（NPN、PNP） 合金管、合金扩散管、台面管、外延台面管、 平面管、外延平面管等 场效应晶体管：（P沟、N沟；增强型、耗尽型） MOS场效应晶体管（MOSFET）、 结型场效应晶体管（JFET）、 肖特基势垒场效应晶体管（SBFET） 2、集成电路的分类： 按功能： 数字集成电路、模拟集成电路、数模混合集成电路、 射频/微波集成电路、功率集成电路、SoC、其它； 按工艺（结构与功能）： 半导体集成电路（双极型、MOS型、BiCMOS）、 薄/厚膜集成电路、混合电路； 按有源器件： 双极型、MOS型、BiCMOS、光电集成电路、 CCD集成电路、传感器/换能器集成电路 按集成规模： 小规模（SSI）、中规模（MSI）、 大规模（LSI）、超大规模（VLSI）、 甚大规模（ULSI）、巨大规模（GLSI） 第一章 半导体工业及芯片工艺概述 集成电路中的元、器件结构 几种二极管的基本结构