PSS高亮度发光二极体先进技术应用精要.docVIP

高亮度發光二極體先進技術應用近幾年來高亮度的LED成為趨勢，市面上有許多技術可提高亮度，我們選擇的是圖案化藍寶石基板，因為圖案化過後的藍寶石基板可以同時提高內部及外部的量子效率，基本上GaN LED是以磊晶(Epitaxial)方式生長在藍寶石基板(Sapphire Substrate)上，由於磊晶GaN與底部藍寶石基板的晶格常數及熱膨脹係數相差極大，導致會產生高密度線差排(Thread Dislocation)，此高密度線差排則會限制了GaN LED的發光效率。因在LED結構中，除了主動層(Active Region)及其他層會吸收光之外，另外特別留意的就是半導體的高折射係數(High Refractive Index)，這將使得LED所產生的光受到侷限(Trapped Light)。掌握此要點可從半導體之主動區萃取光源，進而增加光萃取效率(Light Extraction Efficiency)。 藍寶石基板的蝕刻圖案化PSS(Pattern Sapphire Substrate)圖案化藍寶石基板（PSS）的高品質氮化鎵LED向外延生長我們使用感應式耦合電漿系統(ICP)會提高蝕刻速率，且有效改善wafer表面粗糙度。藍寶石基板的圖案藉由乾式蝕刻形成圖案的陣列。我們研發團隊進行乾蝕刻比較方案的基礎上，使用BCl3/He氣體有效提高圖案化藍寶石基板提取效率。這是由於不斷改變入射角，因為藍寶石基板是散射模式。 概述圖Outline Diagrams提升LED發光效率之製程方法乾式蝕刻是一種非等向性蝕刻，乾式蝕刻與溼式蝕刻皆可朔造出不同形狀的圖案。溼式蝕刻關鍵在於溫度會影響蝕刻速率，時間則會影響圖案的高度、頭寬和底寬；乾式蝕刻關鍵在於氣體比例會影響圖案的高度和底部寬度，時間則會影響圖案的高度。 概述圖Outline Diagrams 檢驗標準 Inspection序 檢查項目 檢驗位置 檢驗條件 1 Break(破片) ? 1. 檢視晶片時，如有發現左邊各項缺點時，皆為不良片 2. 外觀檢驗標準：2.1: Effective Area: 晶片邊緣內2.0mm以外區域，為有效區域2.2: Edge EXclusion: 晶片邊緣內2.0mm，不計算缺陷，即允許可出現圖案相連、Particle、不符合規格的圖案、無圖案的空白區域及刮痕2.3: 有效區域內扣除不符合規格的圖案及雷射碼，可用面積為90% 2 Chip(缺口) 正面/背面 3 Crack(裂紋) 正面/背面 4 Laser Mark NG(雷射碼異常) 正面/背面 5 Scratch(刮傷) 正面/背面 6 Defocus (Shot 色差) 正面 7 Pattern loss(亮點) 正面 8 PSS backside NG(PSS背面污染) 背面 9 Square Defect(shots接合線明顯) 正面 10 Stain(髒汙) 正面 11 Pit hole(小坑) 正面 12 Dark Spot(黑點) 正面 藍寶石基板產品說明【2inch Q’ty】 ? 圖案化藍寶石基板【4inch Q’ty】【4inch Q’ty】 ? 圖案化藍寶石基板【4 “ PSS Wafer規格】【4 “ PSS Wafer規格】