场效应器件物理频率CMOS课件解析.pptVIP

C * 10.5 开关特性 CMOS或非 * * 或非门: 全0得1 见1得0 * * 10.5 开关特性 CMOS闩锁效应 p+源区 n阱 p型衬底 n+源区 Ig：大的电源脉冲干扰或受辐照产生。 闩锁效应（Latch up）：寄生的可控硅结构在外界因素触发导通，在电源和地之间形成大电流的通路现象。 * * 10.5 开关特性 CMOS闩锁效应 SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）： 在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体 上 形成 半导体薄膜，制作器件。 优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体CMOS 电路中的寄生闩锁效应。 * * 10.5 开关特性 需掌握内容 CMOS如何实现低功耗，全电平摆幅 CMOS的开关过程及影响因素 思考：单管MOSFET作传输门时输出VT的损失？ CMOS闩锁效应过程 * XIDIAN UNIVERSITY * * 10.6补充 温度特性 u和温度关系：栅压使半导体表面强反型时，u随温度上升呈下降趋势。 在－55°～＋150 °温度范围内， u∝T-1；负温度系数 VT与温度关系：VT表达式对T求偏导，主要来源于费米势随温度的变化。 N沟：负的；P沟：正的 ID与温度关系：与（VGS－VT）相关 （VGS－VT）较大时，ID随温度变化由迁移率温度系数决定，为负 （VGS－VT）较小时，ID随温度变化由 －(VT温度系数)决定，为正 MOSFET可通过选择合适的（VGS－VT），ID温度系数可为0。 * * 10.6补充 噪声特性 MOSFET的噪声主要来源：沟道热噪声和闪烁噪声。 沟道热噪声：沟道载流子的无规则热运动造成，通过沟道电阻生成热噪声电压，使沟道电势分布发生起伏，致使有效栅压发生波动，从而导致漏电流出现涨落。 闪烁噪声：载流子在沟道内漂移时，会对Si和SiO2界面处界面陷阱充放电，从而使漏电流受影响。噪声电压与频率成反比，也叫1/f噪声。 MOS管的所有噪声都会以等效噪声电压反映到输入端，通过器件跨导以漏电流噪声形式进入电路。 噪声特性对于小信号放大器等模拟电路设计是至关重要的。 * * 10.6 补充 器件设计 设计内容 根据使用要求确定主要参数的设计指标 根据设计指标，选择图形结构，确定图形尺寸； 根据设计要求，选择材料，确定纵向尺寸； 在对主要参数进行初步验算的基础上利用器件设计软件进行仿真，确定器件参数的具体值。 进行流片验证，根据测试结果进一步修改验证。 * XIDIAN UNIVERSITY * * 10.6 补充 器件设计 MOSFET 的主要参数与器件设计的主要依据： 先汇总主要参数，分析影响各参数的主要因素，从而找出器件设计依据 直流参数：VT,ID,BVDS,BVGS;（Cox,Na,VFB,Qss,W/L,u,L, tox） 交流参数：gms,gd,fT,ROn,各电容。 与图形尺寸有关的参数（fTIDgmROn），与材料有关的参数（VT） 不同器件对参数的要求不同（功率器件：耐压、电流；高频器件：fT） 应先满足主要参数的要求，然后再根据其他参数进行调整 * XIDIAN UNIVERSITY * * 10.6 补充 器件设计 图形尺寸设计：（W、L） 沟道长度L:上限值可由ft公式求，下限值取决于特征工艺尺寸 沟道宽度：沟长确定后，沟宽主要由跨导和电流容量确定。 其他图形尺寸：源漏接触孔尺寸和漏电流容量、设计规则（最大电流密度）密切相关。 图形结构设计： 主要为长条形，若宽长比较大，则采用梳状结构，对功率器件还有网格状结构。 * XIDIAN UNIVERSITY * * 10.6 补充 器件设计 纵向尺寸设计：（tox，Xj） （1）栅氧化层厚度（tox） 影响器件栅对半导体表面状态的控制灵敏度。特性参数大都与tox相关。 满足质量要求的前提下，越薄越好。 （2）源漏结深（Xj）： 深度、浓度影响源漏串联电阻的大小。 长沟器件：Xj大好，RSRD