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介质①中合成波的时均能流密度 看出驻波不会形成电磁能量的传输,电场能量与磁场能量仅在驻波分布各波节区间所在原有位置上,以周期性能量交换的形式储存起来。所以时均能流密度为虚数时,表示电场与磁场时间上相移 ,存在能量交换和能量储存;反之,为实数则表示其在时间上同相,存在能量传输和能量损耗。 【例5.6】理想介质①和理想导体②的边界面在 处 ,其媒质参量为 有一 时谐均匀平面电磁波在介质①中向边界面垂直入射。入射波电场振幅为 频率为f =100MHZ 。求:(1)入射波的复数形式和瞬时形式;(2)反射波的复数形式和瞬时形式;(3)在介质①中合成波的复数形式和瞬时形式。 解: (1)已知入射波 其中物理参量为 和 代入上式得 (2)利用 处边界条件 (3)合成波 * 边界条件 入射波(已知)+反射波(未知) 透射波(未知) 现象:电磁波入射到不同媒质 分界面上时,一部分波 被分界面反射,一部分 波透过分界 面。 均匀平面波垂直入射到两种不同媒质的分界平面 入射方式:垂直入射、斜入射; 媒质分界面类型: 理想介质、理想导体、导电媒质 分析方法: * 1. 对理想介质分界面的垂直入射 设两种媒质均为理想介质,即 ?1= ?2= 0 则 讨论 当η2η1时,R 0,反射波电场与入射波电场同相 当η2η1时,R 0,反射波电场与入射波电场反相 x 介质1: 介质2: z z=0 y * 媒质1中的入射波: 媒质1中的反射波: 媒质1中的合成波: 媒质2中的透射波: * 合成波的特点 这种由行波和纯驻波合成的波称为行驻波(混合波) —— 合成波电 场 —— 驻波电场 z —— 行波电场 * —— 合成波电 场振幅 —— 合成波电 场 z 当k1z=-nπ,即z=-nλ1/2 (n=0,1,2,…)时,有 合成波电场振幅(R 0) 当k1z=-(2n+1)π/2,即z=-(n/2+1/4)λ1 (n=0,1,2,…)时,有 合成波振幅最大 合成波振幅最小 * 当k1z=-nπ,即z=-nλ1/2 (n=0,1,2,…)时,有 合成波电场振幅(R 0) 当k1z=-(2n+1)π/2,即z=-(n/2+1/4)λ1 (n=0,1,2,…)时,有 —— 合成波电 场振幅 —— 合成波电 场 z 合成波振幅最小 合成波振幅最大 * 驻波系数 S 定义为合成波的电场强度振幅的最大值与最小值之比,即 驻波系数(驻波比) S 讨论: 当R=0 时,S =1,为行波; 当R=±1 时,S = ? ,是纯驻波。 当 时,1 S ? ,为混合波。S 越大,驻波分量 越 大,行波分量越小; * 例1 在自由空间,一均匀平面波垂直入射到半无限大的无耗介质平面上,已知自由空间中,合成波的驻波比为3,介质内传输波的波长是自由空间波长的1/6,且分界面上为驻波电场的最小点。求介质的相对磁导率和相对介电常数。 解:因为驻波比 由于界面上是驻波电场的最小点,故 又因为2区的波长 而反射系数 式中 * 媒质2中的平均功率密度 媒质1中沿z方向传播的平均功率密度 电磁能流密度 由 合成波平均功率等于入射波的平均功率减去反射波的平均功率密度 * 2 对理想导体表面的垂直入射 媒质1为理想介质,σ1=0 媒质2为理想导体,σ2=∞ 故 媒质1中的入射波: 媒质1中的反射波: 则 在分界面上,反射波电场与入射波电场的相位差为π x 媒质1: 媒质2: z z=0 y * 媒质1中合成波的电磁场为 合成波的平均能流密度矢量 瞬时值形式 理想导体表面上的感应电流 合成波不发生能量的传输 * 合成波的特点 (n = 0,1,2,3,…) (n = 0 ,1,2,3,…) 媒质1中的合成波在空间没有移动,只是在原来的位置振 动,故为驻波。电场振幅的最大值为2Eim,最小值为0 ;磁 场振幅的最大值为
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