材料表界面陶瓷表界面要点分析.pptVIP

ZrO2含量与相对密度和晶胞常数的变化 机理： 1）添加ZrO2使Y2O3熔点降低； 2）Zr4+的半径为0.80A，与Y3+（0.90A)半径相近，确保了晶格变化最小； 3）ZrO2的高熔点（2715度）在Y2O3晶界上形成固溶体，阻碍了晶界的迁移，有利于气孔的排除和晶粒的均匀性； 二相材料的弹性模量E1和E2，泊松比μ1 和μ2 ，膨胀系数α1 和α2 ，假设E1=E2， μ1= μ2 ，Δ α= α2 —α1 二相的热应变ε2- ε1= Δ α. Δ T 晶界单位面积上剪切应力 τ=K ΔαΔTd/L K是一个有E、 μ、V等有关常量，d越大，剪切应力越大。 老化； 扩散相变； 晶界偏析； 某些二相共存. 5 晶界电位及空间电荷 1） 在热运动的情况下，在晶体表面或晶界处 有过剩的同种离子，使其带有正电荷或负 电荷； 2）由于电中性的需要，在表面或晶界附近有 异号的空间电荷云，抵消该晶界处的电荷； 3）晶界电荷使晶界处有静电位； 4）晶界电荷与空间电荷相拌相生。 以 NaCl晶体为例， NaNa=Na. 晶界+V’Na ClCl=Cl’晶界+V’Cl 在晶体内部，生成阳离子和阴离子空位浓度由有效电荷Z和生成内能φ有关。 [VM’]=exp{-gVM’+Zeφ/KT } [VX’]=exp{-gVX’-Zeφ/KT } 对于NaCl， gVM’=0.65(eV), gVX’=1.2(eV),即内部易形成阳离子空位，使晶界处Na+ 浓度增加，晶界处带正电荷。 晶界电位随着掺杂离子不同，电位符号可以改变。假如在NaCl掺杂CaCl2, 晶界电位从正变负。 图4 晶界空间电荷及带电缺陷浓度 6 晶界的溶质偏析 用现代分析手段证明了在晶界处某一物质浓度高于晶粒内部。 原因1：晶粒内部总是存在或多或少的杂质离予， 但是环绕杂质的弹性应变场较强，而晶界区由于开放结构及弱弹性应变场，因此在适当的高温下杂质将从晶粒内部向晶界扩散，导致偏析以降低应变能。 原因2：是晶界电荷的作用。例如MgO饱和的A1203，晶界电荷符号为正，引起化合价比Al3+低的Mg2+的偏析，以降低静电势。 原因3：固溶界限， 当温度降低时，溶质在晶格中的固溶度降低， 偏析量也随之增加，一般氧化物固溶体中固溶热都较大， 固溶界限就较低，易引起溶质偏析。 当基质中存在几种杂质时，离予半径与基质相差大的元素将先偏析。 杂质进入晶格内通常将增大晶体的自由能，因此在重结晶时这类杂质离子将从晶体颗粒内排除， 通过多步结晶，杂质浓度可大为降低。陶瓷在烧结过程中，伴随晶粒生长和重结晶会使晶粒纯化并使杂质排向晶界区，有时晶粒内部杂质为50-100ppm， 而晶界杂质达5原子％， 即大500～1000倍，说明晶界的吸杂作用。 7 功能陶瓷设计中晶界的作用 a) BaTiO3PTC陶瓷 图5 BaTiO3单晶和陶瓷温度与电阻的关系 1）BaTiO3热敏电阻（PTC-positive temperature coeffience） 在工作温度范围内，阻值随着温度地升高而增加地热敏电阻器称为正温度系数热敏电阻，简称PTC元件。PTC元件在达到一个特定的温度前，电阻值随温度变化和缓慢，当超过这个温度时，阻值剧增，发生阻值剧增变化的这点温度称居里点温度，是PTC元件的主要技术指标之一。 基本特性和应用： A 电阻－温度特性：表示PTC电阻（取对数）与温度的关系。 ? 缓慢型（补偿型或A型）：PTC元件具有一般的线性阻温特性，其温度系数在＋（3～8）﹪/℃，可广泛的应用于温