集成电路器件模型与模拟第1讲.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 器件模拟和电路模拟的关系 Device Physics provides analytical equations and physical parameters for device simulation. The device simulator solves the fundamental semiconductor equations numerically. The dc, ac and transient simulation results are used for device design and device model development. The device model is implemented in the circuit simulator. The circuit simulation results are then used for the design of integrated circuits. 工艺、器件、电路模拟的关系 工艺、器件、电路模拟的关系 工艺、器件、电路模拟的关系 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 半导体制造工艺流程（续） 半导体制造工艺流程（续） 半导体制造工艺流程（续） 半导体制造工艺流程（续） 半导体制造工艺流程（续） 半导体制造工艺流程（续） 半导体制造工艺流程（续） 1：半导体材料基本概念 2：半导体制造工艺流程 3：器件模拟基本概念 4：电路模拟基本概念 第一章 器件模拟：半导体器件的计算机模拟是在给定的材料成分、物理结构和杂质分布条件下，通过半导体器件模拟程序直接求解半导体器件的基本方程，得到器件结构中静电势、电子浓度、空穴浓度与时间及空间的关系，并在此基础上获得不同偏压条件和不同时间条件下器件的伏安特性和各种器件参数。其输入是器件结构、材料成分、掺杂分布和外加偏压等。输出包括稳态解、瞬态解和交流小信号分析结果。 器件模拟体现在数学上的任务就是根据一定的边界条件求解基本方程，得到静电势和两种载流子在空间的分布和随时间的变化。求解的基本方程包括泊松方程和载流子连续性方程。 工艺模拟：在指定的器件结构、工艺步骤和工艺参数的条件下求解半导体器件内部的结构变化和杂质分布。 工艺模拟的求解方法：工艺模拟所要模拟的工艺过程包括氧化、扩散、离子注入、外延生长、高温或低温淀积、光刻、腐蚀等。主要的计算问题是求解杂质的连续性方程。为了进行数值求解，首先要对连续性方程进行空间和时间离散。工艺模拟器中的工艺模型包括热氧化模型、杂质扩散模型和离子注入模型等。 摘自《超大规模集成电路设计方法学导论》第8、9章 清华 杨之廉 器件模拟和电路模拟的基本定义 The role of device simulation is to study or design semiconductor device by computer numerical calculation. By means of input material, device structure and doping profile（掺杂分布）,computer solves basic equations and other equations and gets I-V characteristics, etc. Circuit simulation in this class means to build up circuit model of device for circuit simulation. 器件模拟的起源 The simulation concept originates in 1949. In the early time simulation Analytically solve differential equations Approximate methods One dimension Small injection（小注入近似） Uniform base region（均匀基区近似） 器件模拟的起源（续） 器件模拟的基本概念（续） 早期的模拟是1维模拟，但是随着集成电路的发展，1维模拟显然已经不准确，到七十年代，开始以2维模拟为主 随着工艺的发展，三维效应变得显著，又出现了三维器件模拟软件，如Silvaco TCAD以及本课程将要使用Sentaurus TCAD 器件由成千上万的网格计算组成 计算者需要选取计算模型 做好网格化处理 不过收敛性问题的解决比较复