（编）材料与薄膜相关(6页)要点.docVIP

第一章 1真空与压强的关系，粗，低，高，超高真空如何划分托、大气压之间的关系 答：压强越低意味着单位体积中气体分子数愈少，真空度愈高，反之真空度越低则压强就越高。 粗真空：（1X105~1X102Pa）低真空（1X102~1X10-1 Pa）高真空（1X10-1~1X10-6 Pa） 超高真空（1X10-6 Pa）1托＝1/760大气压2为气体临界温度。气体与蒸气区别、平均自由程、余弦散射定律 答：气体临界温度：对于每种气体都有一个特定的温度．高于此温度时．气体无论如何压缩都不会液化，这个温度称为该气体的临界温度气体与蒸气区别：温度高于临界温度的气态物质称气体，低于临界温度的气态物质称为蒸气 平均自由程：每个分子在连续两次碰撞之间的路程称为“自由程”，余弦散射定律：碰撞于固体表面的分子，它们飞离表面的方向与原入射方向无关．并按与表面法线方向所成角度θ的余弦进行分布3简述旋片机械泵、扩散泵、分子泵原理及真空范围使用时是否需配前级泵 答：旋片机械泵： 真空范围：1大气压——10-2pa 不需要使用前级泵 扩散泵：。分子泵：靠高速转动的转子碰撞气体分子并把它驱向排气口，由前级泵抽走，使被抽容器获得超高真空4简述热阻热偶、热阴极电离真空计原理及测量原理 答：热阻真空计：热偶真空计：电离真空计原理：电子在加速电场中获得能量，参与气体分子碰撞将发生电离，产生正离子和次级电子，正离子数正比于气体密度，根据离子电流大小，来测压强。5典型真空系统组成是什么？何为极限真空及抽气速率 答：典型真空系统组成：待抽空的容器(真空室)、获得真空设备(真空泵)、测量真空的器具(真空汁)以及必要的管道、阀门和其他附属设备。 极限真空：系统所能达到的最低压强。 抽气速率：在规定压强下单位时间所抽出气体的体积。 1、真空蒸发系统组成。镀膜基本过程是什么，何为蒸发温度、饱和蒸气压与温度关系、蒸发速率与何因子有关。如何减小蒸发分子碰撞几率 答：真空蒸发系统组成：1真空室2蒸发源或蒸发加热器3基板4基板加热器和测温器 镀膜基本过程：1 加热蒸发过程2 气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运3 蒸发原子或分子在基片表面上淀积过程 蒸发温度：物质在饱和蒸气压为时的温度，叫该物质的蒸发温度 饱和蒸气压与温度关系： 蒸发速率因子：如何减小蒸发分子碰撞几率：平均自由程比源——基距大得多的情况下。3简述点源、小平面蒸发特点并比较两者相对厚度分布曲线。两种点源与基板相对位置如何配置P2527 答：点源（点蒸发源）：小平面（小平面蒸发源）：具有方向性，遵从余弦角度分布规律 对基板位置配置：点源必须配置在基板所围成的球状中心当小平面蒸发源为球形工件架的一部分时，该小平面蒸发源蒸发时，在内球体表面上的膜度分布是均匀的4何为电阻加蒸发法。何为电子束蒸发法和优点P35 39 42~47 答：电阻加蒸发法：采用、铜、钨等高熔点金属，做成适当形状的蒸发源，其上装入待蒸发材料料．让电流通过．对蒸发材料进行直接加热蒸发，或者把待蒸发材料放入A12O3BeO等坩锅中进行间接加热蒸发 电子束蒸发法: 将蒸发材料放入水冷铜坩锅中，直接利用电子束加热，使蒸发材料气化蒸发后凝结在基板表面成膜 优点：1）电子束轰击热源的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能量密度 2）由于被蒸发材料是置于水冷坩锅内，因而可避免容器材料的蒸发，以及容器材料与蒸发材料之间的反应，这对提高镀膜的纯度极为重要 3）热量可直接加到蒸发材料的表面，因而热效率高。热传导和热辐射的损失少5为何合金，化合物蒸发镀膜时不易得到原成分化学计量比，简述6分子束外延镀膜法原理及特点P46答：原理：它是在超高真空条件下，将薄膜诸组分元素的分子束流，直接喷到衬底表面，从而在其上形成外延层。 特点：7简述石英晶体法与等厚干涉法测膜原理P58 答：石英晶体法：利用改变石英品体电极的微小厚度．来调整振荡器的固有振荡颁率的利用这一原理，在石英电极上淀积薄膜，然后测其固有频率的变化就可求出质量膜厚等厚干涉法测膜：如果在楔形薄膜上产生单色干涉光，在一定厚度下就能满足最大和最小的干涉条件。因此，能观察到明暗相间的平行条纹。如果厚度不规则．则干涉条纹也呈现不规则的形状。1简述二级溅射、偏压溅射、三级溅射、射频、磁控、离子束，反应原理及特点 答：二级溅射：原理：工作时，先将真空室预抽到高真空(如10-3Pa)，然后．通入氩气使真空室内压力维持在l一10Pa时，接通电源使在阴极和阳极间产生异常辉光放电，并建立起等离子区，其中带正电的氩离子受到电场加速而轰击阴极靶。从而使靶材产生溅射。 特点：构造筒单，在大面积基板上可制取均匀薄膜偏压溅射：原理：特点：镀膜过程中同时清除基片上轻质量的带电粒子，从而使基板中不含有不纯气体(残余H2O、N2等) 三级溅射：在二级溅射